Nghiên cứu cấu trúc giếng lượng tử InGaN/GaN trong điôt phát sáng (LED) chế tạo bằng phương pháp MOCVD

Những quyển sách tương tự

• Electrical characterizations of diodes fabricated on GaN and InGaN films by RF magnetron sputtering
  Bỡi: Thi, Tran Anh Tuan
  Được phát hành: (2015)
• Độ linh động điện tử đa vùng con trong các cấu trúc giếng lượng tử bất đối xứng dựa trên hệ vật liệu GaN/AlGaN :
  Bỡi: Tiêu, Tín Nguyên
  Được phát hành: (2017)
• Sự kết cặp của phonon quang dọc - plasmon trong các lớp bán dẫn InGaN
  Bỡi: Dương, Đình Phước, et al.
  Được phát hành: (2023)
• Mô hình Fang-Howard cho khí điện tử giả hai chiều trong giếng lượng tử A/GaN/GaN
  Bỡi: Đỗ, Mười, et al.
  Được phát hành: (2019)
• Độ linh động điện tử trong cấu trúc dị chất đơn dựa trên hệ vật liệu GaN/ AlGaN :
  Bỡi: Nguyễn, Thanh Tuấn
  Được phát hành: (2013)