Nghiên cứu sự phân bố của các nguyên tử phốt pho pha tạp trong màng Ge tăng trưởng epitaxy trên đế Si(100) bằng kỹ thuật chụp cắt lớp đầu dò nguyên tử

Những quyển sách tương tự

• Nghiên cứu sự phân bố của nguyên tử antimony trong màng Ge/Gi đồng pha tạp Sb và P sử dụng kỹ thuật chụp cắt lớp đầu dò nguyên tử
  Bỡi: Lương, Thị Kim Phượng, et al.
  Được phát hành: (2023)
• Nghiên cứu tính chất điện của màng Ge pha tạp điện tử từ nguồn rắn GaP và Sb bằng phương pháp Epitaxy chùm phân tử
  Bỡi: Lương, Thị Kim Phượng
  Được phát hành: (2023)
• STUDY OF ELECTRICAL PROPERTIES OF ELECTRON DOPED Ge FILM USING GaP AND Sb SOLID SOURCES BY MOLECULAR BEAM EPITAXY METHOD
  Bỡi: Lương, Thị Kim Phượng
  Được phát hành: (2023)
• Chế tạo màng epitaxy silic trên đế silic từ pha hơi
  Bỡi: Nguyễn, Quang Huân
  Được phát hành: (2011)
• Khống chế hiệu ứng khuếch tán ngoài của nguyên tố pha tạp bằng hàng rào khuếch tán HFO2 cho màng GE pha tạp điện tử nồng độ cao tăng trưởng trên đến Si(100)
  Bỡi: Lương, Thị Kim Phượng, et al.
  Được phát hành: (2024)