Khống chế sự hình thành tăng trưởng dạng đảo của Germani trên đế silic bằng phương pháp epitaxy chùm phân tử

Ítems similars

• Phương pháp xử lý bề mặt đế silic ở nhiệt độ thấp ứng dụng trong kỹ thuật tăng trưởng Epitaxy chùm phân tử
  per: Lương, Thị Kim Phượng
  Publicat: (2024)
• Nghiên cứu tính chất điện của màng Ge pha tạp điện tử từ nguồn rắn GaP và Sb bằng phương pháp Epitaxy chùm phân tử
  per: Lương, Thị Kim Phượng
  Publicat: (2023)
• KHẢO SÁT SỰ PHÁT TRIỂN CỦA MÀNG Ge TRÊN ĐẾ GaAs(100) BẰNG PHƯƠNG PHÁP EPITAXY CHÙM PHÂN TỬ
  per: Lương, Thị Kim Phượng, et al.
  Publicat: (2025)
• STUDY OF ELECTRICAL PROPERTIES OF ELECTRON DOPED Ge FILM USING GaP AND Sb SOLID SOURCES BY MOLECULAR BEAM EPITAXY METHOD
  per: Lương, Thị Kim Phượng
  Publicat: (2023)
• STUDY OF ELECTRICAL PROPERTIES OF ELECTRON DOPED Ge FILM USING GaP AND Sb SOLID SOURCES BY MOLECULAR BEAM EPITAXY METHOD
  per: Lương, Thị Kim Phượng
  Publicat: (2024)