Nghiên cứu về Ft và Fmax trong Si và Si1-xGex dựa trên vật liệu đơn và đôi theo kênh của kép FETs cho các ứng dụng RF
Đã lưu trong:
Định dạng: | Bài viết |
---|---|
Ngôn ngữ: | Vietnamese |
Được phát hành: |
2024
|
Những chủ đề: | |
Truy cập trực tuyến: | https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/229938 |
Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
---|
Những quyển sách tương tự
-
Phân tích tĩnh điện mở rộng của cổng vật liệu kép xung quanh ống FET (DMGAA-TFET)
Được phát hành: (2024) -
Phân tích hiệu suất của SOI MOSFET với kênh lõm hình chữ nhật
Được phát hành: (2024) -
Giải pháp tiềm năng trong phân tích phức tạp cho một MOSFET 4H-SiC trong kích thước nano
Được phát hành: (2024) -
Quantum Confinement Effect in Strained-Si¬1-xGex Double-Gate Tunnel Field-Effect Transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024) -
Điều chế từ xa thông qua điều khiển linh hoạt cho một trạng thái hai qubit tùy ý thông qua các kênh lượng tử rối không tối đa
Được phát hành: (2024)