Nghiên cứu về Ft và Fmax trong Si và Si1-xGex dựa trên vật liệu đơn và đôi theo kênh của kép FETs cho các ứng dụng RF

Αποθηκεύτηκε σε:
Λεπτομέρειες βιβλιογραφικής εγγραφής
Μορφή: Άρθρο
Γλώσσα:Vietnamese
Έκδοση: 2024
Θέματα:
Διαθέσιμο Online:https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/229938
Ετικέτες: Προσθήκη ετικέτας
Δεν υπάρχουν, Καταχωρήστε ετικέτα πρώτοι!
Thư viện lưu trữ: Thư viện Trường Đại học Đà Lạt