Nghiên cứu về Ft và Fmax trong Si và Si1-xGex dựa trên vật liệu đơn và đôi theo kênh của kép FETs cho các ứng dụng RF
Gespeichert in:
| Format: | Artikel |
|---|---|
| Sprache: | Vietnamese |
| Veröffentlicht: |
2024
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/229938 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
|---|