Nghiên cứu về Ft và Fmax trong Si và Si1-xGex dựa trên vật liệu đơn và đôi theo kênh của kép FETs cho các ứng dụng RF
Gorde:
Formatua: | Artikulua |
---|---|
Hizkuntza: | Vietnamese |
Argitaratua: |
2024
|
Gaiak: | |
Sarrera elektronikoa: | https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/229938 |
Etiketak: |
Etiketa erantsi
Etiketarik gabe, Izan zaitez lehena erregistro honi etiketa jartzen!
|
Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
---|