Nghiên cứu về Ft và Fmax trong Si và Si1-xGex dựa trên vật liệu đơn và đôi theo kênh của kép FETs cho các ứng dụng RF
Tallennettuna:
| Aineistotyyppi: | Artikkeli |
|---|---|
| Kieli: | Vietnamese |
| Julkaistu: |
2024
|
| Aiheet: | |
| Linkit: | https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/229938 |
| Tagit: |
Lisää tagi
Ei tageja, Lisää ensimmäinen tagi!
|
| Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
|---|