Nghiên cứu về Ft và Fmax trong Si và Si1-xGex dựa trên vật liệu đơn và đôi theo kênh của kép FETs cho các ứng dụng RF
Gardado en:
| Formato: | Artigo |
|---|---|
| Idioma: | Vietnamese |
| Publicado: |
2024
|
| Những chủ đề: | |
| Acceso en liña: | https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/229938 |
| Các nhãn: |
Engadir etiqueta
Sen Etiquetas, Sexa o primeiro en etiquetar este rexistro!
|
| Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
|---|