Nghiên cứu về Ft và Fmax trong Si và Si1-xGex dựa trên vật liệu đơn và đôi theo kênh của kép FETs cho các ứng dụng RF
Zapisane w:
| Format: | Artykuł |
|---|---|
| Język: | Vietnamese |
| Wydane: |
2024
|
| Hasła przedmiotowe: | |
| Dostęp online: | https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/229938 |
| Etykiety: |
Dodaj etykietę
Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!
|
| Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
|---|