Nghiên cứu về Ft và Fmax trong Si và Si1-xGex dựa trên vật liệu đơn và đôi theo kênh của kép FETs cho các ứng dụng RF
Shranjeno v:
| Format: | Bài viết |
|---|---|
| Jezik: | Vietnamese |
| Izdano: |
2024
|
| Teme: | |
| Online dostop: | https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/229938 |
| Oznake: |
Označite
Brez oznak, prvi označite!
|
| Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
|---|