Nghiên cứu về Ft và Fmax trong Si và Si1-xGex dựa trên vật liệu đơn và đôi theo kênh của kép FETs cho các ứng dụng RF
Sparad:
| Materialtyp: | Artikel |
|---|---|
| Språk: | Vietnamese |
| Publicerad: |
2024
|
| Ämnen: | |
| Länkar: | https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/229938 |
| Taggar: |
Lägg till en tagg
Inga taggar, Lägg till första taggen!
|
| Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
|---|