STUDY OF ELECTRICAL PROPERTIES OF ELECTRON DOPED Ge FILM USING GaP AND Sb SOLID SOURCES BY MOLECULAR BEAM EPITAXY METHOD
Đã lưu trong:
| Tác giả chính: | |
|---|---|
| Định dạng: | Bài viết |
| Ngôn ngữ: | Vietnamese |
| Được phát hành: |
2024
|
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/249306 |
| Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
| Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
|---|
| id |
oai:scholar.dlu.edu.vn:DLU123456789-249306 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
oai:scholar.dlu.edu.vn:DLU123456789-2493062024-12-29T09:27:30Z STUDY OF ELECTRICAL PROPERTIES OF ELECTRON DOPED Ge FILM USING GaP AND Sb SOLID SOURCES BY MOLECULAR BEAM EPITAXY METHOD Lương, Thị Kim Phượng Tạp chí Khoa học và Công nghệ - Đại học Thái Nguyên 2024-12-28T12:26:09Z 2024-12-28T12:26:09Z 2019 Article https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/249306 vi Tạp chí Khoa học và Công nghệ - Đại học Thái Nguyên - 2019 - no.11 - tr. - ISSN. application/pdf |
| institution |
Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
| collection |
Thư viện số |
| language |
Vietnamese |
| topic |
Tạp chí Khoa học và Công nghệ - Đại học Thái Nguyên |
| spellingShingle |
Tạp chí Khoa học và Công nghệ - Đại học Thái Nguyên Lương, Thị Kim Phượng STUDY OF ELECTRICAL PROPERTIES OF ELECTRON DOPED Ge FILM USING GaP AND Sb SOLID SOURCES BY MOLECULAR BEAM EPITAXY METHOD |
| format |
Article |
| author |
Lương, Thị Kim Phượng |
| author_facet |
Lương, Thị Kim Phượng |
| author_sort |
Lương, Thị Kim Phượng |
| title |
STUDY OF ELECTRICAL PROPERTIES OF ELECTRON DOPED Ge FILM USING GaP AND Sb SOLID SOURCES BY MOLECULAR BEAM EPITAXY METHOD |
| title_short |
STUDY OF ELECTRICAL PROPERTIES OF ELECTRON DOPED Ge FILM USING GaP AND Sb SOLID SOURCES BY MOLECULAR BEAM EPITAXY METHOD |
| title_full |
STUDY OF ELECTRICAL PROPERTIES OF ELECTRON DOPED Ge FILM USING GaP AND Sb SOLID SOURCES BY MOLECULAR BEAM EPITAXY METHOD |
| title_fullStr |
STUDY OF ELECTRICAL PROPERTIES OF ELECTRON DOPED Ge FILM USING GaP AND Sb SOLID SOURCES BY MOLECULAR BEAM EPITAXY METHOD |
| title_full_unstemmed |
STUDY OF ELECTRICAL PROPERTIES OF ELECTRON DOPED Ge FILM USING GaP AND Sb SOLID SOURCES BY MOLECULAR BEAM EPITAXY METHOD |
| title_sort |
study of electrical properties of electron doped ge film using gap and sb solid sources by molecular beam epitaxy method |
| publishDate |
2024 |
| url |
https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/249306 |
| _version_ |
1822629269691432960 |