STUDY OF ELECTRICAL PROPERTIES OF ELECTRON DOPED Ge FILM USING GaP AND Sb SOLID SOURCES BY MOLECULAR BEAM EPITAXY METHOD
Đã lưu trong:
Tác giả chính: | Lương, Thị Kim Phượng |
---|---|
Định dạng: | Bài viết |
Ngôn ngữ: | Vietnamese |
Được phát hành: |
2024
|
Những chủ đề: | |
Truy cập trực tuyến: | https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/249306 |
Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
---|
Những quyển sách tương tự
-
STUDY OF ELECTRICAL PROPERTIES OF ELECTRON DOPED Ge FILM USING GaP AND Sb SOLID SOURCES BY MOLECULAR BEAM EPITAXY METHOD
Bỡi: Lương, Thị Kim Phượng
Được phát hành: (2023) -
INVESTIGATE AND FABRICATE A LIGHT EMITTING DIODE BASED ON Ge/Si CO-DOPED WITH P AND Sb FOR OPTOELECTRONIC APPLICATIONS
Bỡi: Lương, Thị Kim Phượng
Được phát hành: (2023) -
INVESTIGATE AND FABRICATE A LIGHT EMITTING DIODE BASED ON Ge/Si CO-DOPED WITH P AND Sb FOR OPTOELECTRONIC APPLICATIONS
Bỡi: Lương, Thị Kim Phượng
Được phát hành: (2024) -
Nghiên cứu tính chất điện của màng Ge pha tạp điện tử từ nguồn rắn GaP và Sb bằng phương pháp Epitaxy chùm phân tử
Bỡi: Lương, Thị Kim Phượng
Được phát hành: (2023) -
Influence of indium and hydrogen co-doping on optical and electrical properties of zinc oxide thin films deposited by DC magnetron sputtering
Được phát hành: (2023)