Qui trình công nghệ chế tạo diode phát quang màu đỏ GaP bằng phương pháp epitaxy lỏng
Tác giả: Nguyễn Thanh Nghị, PTS -- Từ khóa: Công nghệ chế tạo; Diode phát quang; GaP; Phương pháp epitaxy lỏng
Đã lưu trong:
Tác giả chính: | Nguyễn, Thanh Nghị |
---|---|
Định dạng: | Bài viết |
Ngôn ngữ: | Vietnamese |
Được phát hành: |
2011
|
Những chủ đề: | |
Truy cập trực tuyến: | http://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/7670 |
Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
---|
Những quyển sách tương tự
Những quyển sách tương tự
-
NC công nghệ chế tạo điốt phát quang màu do GaP bằng PP epytaxy lỏng
Bỡi: Nguyễn, Thanh Nghị
Được phát hành: (2011) -
STUDY OF ELECTRICAL PROPERTIES OF ELECTRON DOPED Ge FILM USING GaP AND Sb SOLID SOURCES BY MOLECULAR BEAM EPITAXY METHOD
Bỡi: Lương, Thị Kim Phượng
Được phát hành: (2023) -
Nghiên cứu tính chất điện của màng Ge pha tạp điện tử từ nguồn rắn GaP và Sb bằng phương pháp Epitaxy chùm phân tử
Bỡi: Lương, Thị Kim Phượng
Được phát hành: (2023) -
Improved performance of 1.55 InGaAsP/InP superluminescent diodes by tapered stripe structure /
Bỡi: Choi, Young-Kyu. -
Morphological organization in epitaxial growth and removal
Bỡi: Zhang, Zhenyu
Được phát hành: (1998)