Exciton trong dây lượng tử có rào thế dạng Parabol : Luận văn thạc sĩ vật lý. Chuyên ngành : Vật lý lý thuyết và Vật lý toán
Luận văn trình bày lý thuyết về dây lượng tử, exciton và exciton trong dây lượng tử, tính toán các yếu tố ma trận của tương tác Coulomb giả một chiều. Nghiên cứu về exciton trong dây giếng lượng tử có rào thế dạng Parabol dưới tác dụng...
সংরক্ষণ করুন:
| প্রধান লেখক: | Lê, Thị Mỹ Trúc |
|---|---|
| বিন্যাস: | গ্রন্থ |
| ভাষা: | Undetermined |
| প্রকাশিত: |
Cần Thơ
Trường Đại học Cần Thơ
2009
|
| বিষয়গুলি: | |
| ট্যাগগুলো: |
ট্যাগ যুক্ত করুন
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!
|
| Thư viện lưu trữ: | Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ |
|---|
অনুরূপ উপাদানগুলি
-
The MOS memory data book for design engineers
প্রকাশিত: (1979) -
Ionizing radiation effects in MOS oxides
অনুযায়ী: Oldham, Timothy R.
প্রকাশিত: (1999) -
A source-side injection lucky electron model for Schottky barrier metal-oxide-semiconductor devices
অনুযায়ী: Chun-Hsing Shih, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2024) -
Operation and modeling of the MOS transistor
অনুযায়ী: Yannis Tsividis
প্রকাশিত: (1999) -
Modern MOS technology :
অনুযায়ী: Ong, DeWitt G.
প্রকাশিত: (1984)