Exciton trong dây lượng tử có rào thế dạng Parabol : Luận văn thạc sĩ vật lý. Chuyên ngành : Vật lý lý thuyết và Vật lý toán
Luận văn trình bày lý thuyết về dây lượng tử, exciton và exciton trong dây lượng tử, tính toán các yếu tố ma trận của tương tác Coulomb giả một chiều. Nghiên cứu về exciton trong dây giếng lượng tử có rào thế dạng Parabol dưới tác dụng...
Enregistré dans:
| Auteur principal: | Lê, Thị Mỹ Trúc |
|---|---|
| Format: | Livre |
| Langue: | Undetermined |
| Publié: |
Cần Thơ
Trường Đại học Cần Thơ
2009
|
| Sujets: | |
| Tags: |
Ajouter un tag
Pas de tags, Soyez le premier à ajouter un tag!
|
| Thư viện lưu trữ: | Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ |
|---|
Documents similaires
-
The MOS memory data book for design engineers
Publié: (1979) -
Ionizing radiation effects in MOS oxides
par: Oldham, Timothy R.
Publié: (1999) -
A source-side injection lucky electron model for Schottky barrier metal-oxide-semiconductor devices
par: Chun-Hsing Shih, et autres
Publié: (2024) -
Operation and modeling of the MOS transistor
par: Yannis Tsividis
Publié: (1999) -
Modern MOS technology :
par: Ong, DeWitt G.
Publié: (1984)