Exciton trong dây lượng tử có rào thế dạng Parabol : Luận văn thạc sĩ vật lý. Chuyên ngành : Vật lý lý thuyết và Vật lý toán
Luận văn trình bày lý thuyết về dây lượng tử, exciton và exciton trong dây lượng tử, tính toán các yếu tố ma trận của tương tác Coulomb giả một chiều. Nghiên cứu về exciton trong dây giếng lượng tử có rào thế dạng Parabol dưới tác dụng...
محفوظ في:
| المؤلف الرئيسي: | Lê, Thị Mỹ Trúc |
|---|---|
| التنسيق: | كتاب |
| اللغة: | Undetermined |
| منشور في: |
Cần Thơ
Trường Đại học Cần Thơ
2009
|
| الموضوعات: | |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
| Thư viện lưu trữ: | Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ |
|---|
مواد مشابهة
-
The MOS memory data book for design engineers
منشور في: (1979) -
Ionizing radiation effects in MOS oxides
بواسطة: Oldham, Timothy R.
منشور في: (1999) -
A source-side injection lucky electron model for Schottky barrier metal-oxide-semiconductor devices
بواسطة: Chun-Hsing Shih, وآخرون
منشور في: (2024) -
Operation and modeling of the MOS transistor
بواسطة: Yannis Tsividis
منشور في: (1999) -
Modern MOS technology :
بواسطة: Ong, DeWitt G.
منشور في: (1984)