Exciton trong dây lượng tử có rào thế dạng Parabol : Luận văn thạc sĩ vật lý. Chuyên ngành : Vật lý lý thuyết và Vật lý toán
Luận văn trình bày lý thuyết về dây lượng tử, exciton và exciton trong dây lượng tử, tính toán các yếu tố ma trận của tương tác Coulomb giả một chiều. Nghiên cứu về exciton trong dây giếng lượng tử có rào thế dạng Parabol dưới tác dụng...
Đã lưu trong:
Tác giả chính: | Lê, Thị Mỹ Trúc |
---|---|
Định dạng: | Sách |
Ngôn ngữ: | Undetermined |
Được phát hành: |
Cần Thơ
Trường Đại học Cần Thơ
2009
|
Những chủ đề: | |
Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
Thư viện lưu trữ: | Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ |
---|
Những quyển sách tương tự
-
The MOS memory data book for design engineers
Được phát hành: (1979) -
Ionizing radiation effects in MOS oxides
Bỡi: Oldham, Timothy R.
Được phát hành: (1999) -
A source-side injection lucky electron model for Schottky barrier metal-oxide-semiconductor devices
Bỡi: Chun-Hsing Shih, et al.
Được phát hành: (2024) -
Operation and modeling of the MOS transistor
Bỡi: Yannis Tsividis
Được phát hành: (1999) -
Modern MOS technology :
Bỡi: Ong, DeWitt G.
Được phát hành: (1984)