Exciton trong dây lượng tử có rào thế dạng Parabol : Luận văn thạc sĩ vật lý. Chuyên ngành : Vật lý lý thuyết và Vật lý toán
Luận văn trình bày lý thuyết về dây lượng tử, exciton và exciton trong dây lượng tử, tính toán các yếu tố ma trận của tương tác Coulomb giả một chiều. Nghiên cứu về exciton trong dây giếng lượng tử có rào thế dạng Parabol dưới tác dụng...
Gorde:
| Egile nagusia: | Lê, Thị Mỹ Trúc |
|---|---|
| Formatua: | Liburua |
| Hizkuntza: | Undetermined |
| Argitaratua: |
Cần Thơ
Trường Đại học Cần Thơ
2009
|
| Gaiak: | |
| Etiketak: |
Etiketa erantsi
Etiketarik gabe, Izan zaitez lehena erregistro honi etiketa jartzen!
|
| Thư viện lưu trữ: | Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ |
|---|
Antzeko izenburuak
-
The MOS memory data book for design engineers
Argitaratua: (1979) -
Ionizing radiation effects in MOS oxides
nork: Oldham, Timothy R.
Argitaratua: (1999) -
A source-side injection lucky electron model for Schottky barrier metal-oxide-semiconductor devices
nork: Chun-Hsing Shih, et al.
Argitaratua: (2024) -
Operation and modeling of the MOS transistor
nork: Yannis Tsividis
Argitaratua: (1999) -
Modern MOS technology :
nork: Ong, DeWitt G.
Argitaratua: (1984)