Chế tạo và khảo sát các đặc trưng cấu trúc, điện, quang của màng a-Si:H pha tạp bằng phương pháp lắng đọng hơi hóa tăng cường Plasma (PECVD) : Luận văn Thạc sĩ Vật lý chuyên ngành Vật lý Kỹ thuật

Đề tài nghiên cứu về vật liệu bán dẫn silic, và Si:H, tìm hiểu về tính chất quang và tính chất điện của màng Si:H, tìm hiểu phương pháp lằng đọng hóa học CVD và PECVD. Nghiên cứu cách chế tạo và đo đạc xác định các tính chất quang điện, đ...

Mô tả đầy đủ

Đã lưu trong:
Chi tiết về thư mục
Tác giả chính: Phạm, Hoài Phương
Định dạng: Sách
Ngôn ngữ:Undetermined
Được phát hành: Cần Thơ Trường Đại học Cần Thơ 2011
Những chủ đề:
Các nhãn: Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
Thư viện lưu trữ: Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ
LEADER 01482nam a2200217Ia 4500
001 CTU_166858
008 210402s9999 xx 000 0 und d
082 |a 537.622 
082 |b Ph561 
088 |a 60440103 
100 |a Phạm, Hoài Phương 
245 0 |a Chế tạo và khảo sát các đặc trưng cấu trúc, điện, quang của màng a-Si:H pha tạp bằng phương pháp lắng đọng hơi hóa tăng cường Plasma (PECVD) : 
245 0 |b Luận văn Thạc sĩ Vật lý chuyên ngành Vật lý Kỹ thuật 
245 0 |c Phạm Hoài Phương ; Trần Quang Trung ( Hướng dẫn khoa học) 
260 |a Cần Thơ 
260 |b Trường Đại học Cần Thơ 
260 |c 2011 
520 |a Đề tài nghiên cứu về vật liệu bán dẫn silic, và Si:H, tìm hiểu về tính chất quang và tính chất điện của màng Si:H, tìm hiểu phương pháp lằng đọng hóa học CVD và PECVD. Nghiên cứu cách chế tạo và đo đạc xác định các tính chất quang điện, điện và cấu trúc của màng Si:H và Si:H pha tạp P. Đánh giá các điều kiện chế tạo và tìm ra điều kiện chế tạo mẫu tối ưu. 
650 |a Semiconductors,Chất bán dẫn 
904 |i Hải 
980 |a Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ