Phân bố khí điện tử giả hai chiều trong cấu trúc dị chất đơn dựa trên hệ vật liệu AlxGa1 - xAs/GaAs : Luận văn Thạc sĩ. Chuyên ngành: Vật lí lí thuyết và vật lí toán

Luận văn được chia thành 5 chương. Chương 1 sơ lược về linh kiện được chế tạo dựa trên cấu trúc giếng lượng tử. Chương 2 cấu trúc dị chất bán dẫn. Chương 3 cấu trúc dị chất đơn dựa trên hệ vật liệu AlxGa1-xAs/GaAs. Chương 4 thế g...

Mô tả đầy đủ

Đã lưu trong:
Chi tiết về thư mục
Tác giả chính: Nguyễn, Văn Mạnh
Định dạng: Sách
Ngôn ngữ:Undetermined
Được phát hành: Cần Thơ Trường Đại học Cần Thơ 2012
Những chủ đề:
Các nhãn: Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
Thư viện lưu trữ: Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ
LEADER 01548nam a2200217Ia 4500
001 CTU_174633
008 210402s9999 xx 000 0 und d
082 |a 537.6226 
082 |b M107 
088 |a 604401 
100 |a Nguyễn, Văn Mạnh 
245 0 |a Phân bố khí điện tử giả hai chiều trong cấu trúc dị chất đơn dựa trên hệ vật liệu AlxGa1 - xAs/GaAs : 
245 0 |b Luận văn Thạc sĩ. Chuyên ngành: Vật lí lí thuyết và vật lí toán 
245 0 |c Nguyễn Văn Mạnh ; Nguyễn Thành Tiên (Người hướng dẫn) 
260 |a Cần Thơ 
260 |b Trường Đại học Cần Thơ 
260 |c 2012 
520 |a Luận văn được chia thành 5 chương. Chương 1 sơ lược về linh kiện được chế tạo dựa trên cấu trúc giếng lượng tử. Chương 2 cấu trúc dị chất bán dẫn. Chương 3 cấu trúc dị chất đơn dựa trên hệ vật liệu AlxGa1-xAs/GaAs. Chương 4 thế giam giữ khí điện tử trong cấu trúc dị chất đơn dựa trên hệ vật liệu AlxGa1-xAs/GaAs. Chương 5 kết quả tính số và thảo luận. 
650 |a Electron gas,Semiconductors,Quantum wells,Khí điện tử,Chất bán dẫn,Giếng lượng tử 
904 |i Hằng Ni, Năm 
980 |a Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ