Phân bố khí điện tử giả hai chiều trong cấu trúc dị chất đơn dựa trên hệ vật liệu AlxGa1 - xAs/GaAs : Luận văn Thạc sĩ. Chuyên ngành: Vật lí lí thuyết và vật lí toán
Luận văn được chia thành 5 chương. Chương 1 sơ lược về linh kiện được chế tạo dựa trên cấu trúc giếng lượng tử. Chương 2 cấu trúc dị chất bán dẫn. Chương 3 cấu trúc dị chất đơn dựa trên hệ vật liệu AlxGa1-xAs/GaAs. Chương 4 thế g...
Đã lưu trong:
Tác giả chính: | |
---|---|
Định dạng: | Sách |
Ngôn ngữ: | Undetermined |
Được phát hành: |
Cần Thơ
Trường Đại học Cần Thơ
2012
|
Những chủ đề: | |
Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
Thư viện lưu trữ: | Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ |
---|
LEADER | 01548nam a2200217Ia 4500 | ||
---|---|---|---|
001 | CTU_174633 | ||
008 | 210402s9999 xx 000 0 und d | ||
082 | |a 537.6226 | ||
082 | |b M107 | ||
088 | |a 604401 | ||
100 | |a Nguyễn, Văn Mạnh | ||
245 | 0 | |a Phân bố khí điện tử giả hai chiều trong cấu trúc dị chất đơn dựa trên hệ vật liệu AlxGa1 - xAs/GaAs : | |
245 | 0 | |b Luận văn Thạc sĩ. Chuyên ngành: Vật lí lí thuyết và vật lí toán | |
245 | 0 | |c Nguyễn Văn Mạnh ; Nguyễn Thành Tiên (Người hướng dẫn) | |
260 | |a Cần Thơ | ||
260 | |b Trường Đại học Cần Thơ | ||
260 | |c 2012 | ||
520 | |a Luận văn được chia thành 5 chương. Chương 1 sơ lược về linh kiện được chế tạo dựa trên cấu trúc giếng lượng tử. Chương 2 cấu trúc dị chất bán dẫn. Chương 3 cấu trúc dị chất đơn dựa trên hệ vật liệu AlxGa1-xAs/GaAs. Chương 4 thế giam giữ khí điện tử trong cấu trúc dị chất đơn dựa trên hệ vật liệu AlxGa1-xAs/GaAs. Chương 5 kết quả tính số và thảo luận. | ||
650 | |a Electron gas,Semiconductors,Quantum wells,Khí điện tử,Chất bán dẫn,Giếng lượng tử | ||
904 | |i Hằng Ni, Năm | ||
980 | |a Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ |