Phân bố khí điện tử giả hai chiều trong cấu trúc dị chất đơn dựa trên hệ vật liệu AlxGa1 - xAs/GaAs : Luận văn Thạc sĩ. Chuyên ngành: Vật lí lí thuyết và vật lí toán
Luận văn được chia thành 5 chương. Chương 1 sơ lược về linh kiện được chế tạo dựa trên cấu trúc giếng lượng tử. Chương 2 cấu trúc dị chất bán dẫn. Chương 3 cấu trúc dị chất đơn dựa trên hệ vật liệu AlxGa1-xAs/GaAs. Chương 4 thế g...
Spremljeno u:
| Glavni autor: | Nguyễn, Văn Mạnh |
|---|---|
| Format: | Knjiga |
| Jezik: | Undetermined |
| Izdano: |
Cần Thơ
Trường Đại học Cần Thơ
2012
|
| Teme: | |
| Oznake: |
Dodaj oznaku
Bez oznaka, Budi prvi tko označuje ovaj zapis!
|
| Thư viện lưu trữ: | Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ |
|---|
Similar Items
- Investigation of AlxGa1-xAs/GaAs heterostructure by annealing at 300~800oC /
-
Phân bố khí điện tử giả hai chiều trong cấu trúc dị chất đơn GaN/AlGaN :
od: Đặng, Hồng Cám
Izdano: (2012) -
RAMAN SPECTROSCOPY OF GaN/AlxGa1-xN/AlN/Si STRUCTURES
od: Nguyen, Linh Chi, i dr.
Izdano: (2023) -
Exciton Transport Phenomena in GaAs Coupled Quantum Wells. 1st ed. 2018
od: Leonard, Jason
Izdano: (2020) -
Theory of optical processes in semiconductors
od: Basu, P.K.
Izdano: (1997)