Phân bố khí điện tử giả hai chiều trong cấu trúc dị chất đơn dựa trên hệ vật liệu AlxGa1 - xAs/GaAs : Luận văn Thạc sĩ. Chuyên ngành: Vật lí lí thuyết và vật lí toán
Luận văn được chia thành 5 chương. Chương 1 sơ lược về linh kiện được chế tạo dựa trên cấu trúc giếng lượng tử. Chương 2 cấu trúc dị chất bán dẫn. Chương 3 cấu trúc dị chất đơn dựa trên hệ vật liệu AlxGa1-xAs/GaAs. Chương 4 thế g...
שמור ב:
| מחבר ראשי: | Nguyễn, Văn Mạnh |
|---|---|
| פורמט: | ספר |
| שפה: | Undetermined |
| יצא לאור: |
Cần Thơ
Trường Đại học Cần Thơ
2012
|
| נושאים: | |
| תגים: |
הוספת תג
אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!
|
| Thư viện lưu trữ: | Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ |
|---|
פריטים דומים
- Investigation of AlxGa1-xAs/GaAs heterostructure by annealing at 300~800oC /
-
Phân bố khí điện tử giả hai chiều trong cấu trúc dị chất đơn GaN/AlGaN :
מאת: Đặng, Hồng Cám
יצא לאור: (2012) -
RAMAN SPECTROSCOPY OF GaN/AlxGa1-xN/AlN/Si STRUCTURES
מאת: Nguyen, Linh Chi, et al.
יצא לאור: (2023) -
Exciton Transport Phenomena in GaAs Coupled Quantum Wells. 1st ed. 2018
מאת: Leonard, Jason
יצא לאור: (2020) -
Theory of optical processes in semiconductors
מאת: Basu, P.K.
יצא לאור: (1997)