Phân bố khí điện tử giả hai chiều trong cấu trúc dị chất đơn dựa trên hệ vật liệu AlxGa1 - xAs/GaAs : Luận văn Thạc sĩ. Chuyên ngành: Vật lí lí thuyết và vật lí toán
Luận văn được chia thành 5 chương. Chương 1 sơ lược về linh kiện được chế tạo dựa trên cấu trúc giếng lượng tử. Chương 2 cấu trúc dị chất bán dẫn. Chương 3 cấu trúc dị chất đơn dựa trên hệ vật liệu AlxGa1-xAs/GaAs. Chương 4 thế g...
保存先:
| 第一著者: | Nguyễn, Văn Mạnh |
|---|---|
| フォーマット: | 図書 |
| 言語: | Undetermined |
| 出版事項: |
Cần Thơ
Trường Đại học Cần Thơ
2012
|
| 主題: | |
| タグ: |
タグ追加
タグなし, このレコードへの初めてのタグを付けませんか!
|
| Thư viện lưu trữ: | Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ |
|---|
類似資料
- Investigation of AlxGa1-xAs/GaAs heterostructure by annealing at 300~800oC /
-
Phân bố khí điện tử giả hai chiều trong cấu trúc dị chất đơn GaN/AlGaN :
著者:: Đặng, Hồng Cám
出版事項: (2012) -
RAMAN SPECTROSCOPY OF GaN/AlxGa1-xN/AlN/Si STRUCTURES
著者:: Nguyen, Linh Chi, 等
出版事項: (2023) -
Exciton Transport Phenomena in GaAs Coupled Quantum Wells. 1st ed. 2018
著者:: Leonard, Jason
出版事項: (2020) -
Theory of optical processes in semiconductors
著者:: Basu, P.K.
出版事項: (1997)