Phân bố khí điện tử giả hai chiều trong cấu trúc dị chất đơn dựa trên hệ vật liệu AlxGa1 - xAs/GaAs : Luận văn Thạc sĩ. Chuyên ngành: Vật lí lí thuyết và vật lí toán
Luận văn được chia thành 5 chương. Chương 1 sơ lược về linh kiện được chế tạo dựa trên cấu trúc giếng lượng tử. Chương 2 cấu trúc dị chất bán dẫn. Chương 3 cấu trúc dị chất đơn dựa trên hệ vật liệu AlxGa1-xAs/GaAs. Chương 4 thế g...
Enregistré dans:
| Auteur principal: | Nguyễn, Văn Mạnh |
|---|---|
| Format: | Livre |
| Langue: | Undetermined |
| Publié: |
Cần Thơ
Trường Đại học Cần Thơ
2012
|
| Sujets: | |
| Tags: |
Ajouter un tag
Pas de tags, Soyez le premier à ajouter un tag!
|
| Thư viện lưu trữ: | Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ |
|---|
Documents similaires
- Investigation of AlxGa1-xAs/GaAs heterostructure by annealing at 300~800oC /
-
Phân bố khí điện tử giả hai chiều trong cấu trúc dị chất đơn GaN/AlGaN :
par: Đặng, Hồng Cám
Publié: (2012) -
RAMAN SPECTROSCOPY OF GaN/AlxGa1-xN/AlN/Si STRUCTURES
par: Nguyen, Linh Chi, et autres
Publié: (2023) -
Exciton Transport Phenomena in GaAs Coupled Quantum Wells. 1st ed. 2018
par: Leonard, Jason
Publié: (2020) -
Theory of optical processes in semiconductors
par: Basu, P.K.
Publié: (1997)