Phân bố khí điện tử giả hai chiều trong cấu trúc dị chất đơn GaN/AlGaN : Luận văn Thạc sĩ. Chuyên ngành: Vật lí lí thuyết và vật lí toán

Luận văn trình bày sơ lược về linh kiện giếng lượng tử. Trình bày về cấu trúc dị chất, nói về phương pháp nuôi cấu trúc dị chất cụ thể là phương pháp epitaxy chùm phân tử (MBE) và phân loại các cấu trúc dị chất. Trình bày một số đ...

Mô tả đầy đủ

Đã lưu trong:
Chi tiết về thư mục
Tác giả chính: Đặng, Hồng Cám
Định dạng: Sách
Ngôn ngữ:Undetermined
Được phát hành: Cần Thơ Trường Đại học Cần Thơ 2012
Những chủ đề:
Các nhãn: Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
Thư viện lưu trữ: Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ
LEADER 02007nam a2200217Ia 4500
001 CTU_174671
008 210402s9999 xx 000 0 und d
082 |a 537.6225 
082 |b C104 
088 |a 60440103 
100 |a Đặng, Hồng Cám 
245 0 |a Phân bố khí điện tử giả hai chiều trong cấu trúc dị chất đơn GaN/AlGaN : 
245 0 |b Luận văn Thạc sĩ. Chuyên ngành: Vật lí lí thuyết và vật lí toán 
245 0 |c Đặng Hồng Cám ; Nguyễn Thành Tiên (Người hướng dẫn khoa học) 
260 |a Cần Thơ 
260 |b Trường Đại học Cần Thơ 
260 |c 2012 
520 |a Luận văn trình bày sơ lược về linh kiện giếng lượng tử. Trình bày về cấu trúc dị chất, nói về phương pháp nuôi cấu trúc dị chất cụ thể là phương pháp epitaxy chùm phân tử (MBE) và phân loại các cấu trúc dị chất. Trình bày một số đặc tính cơ bản của hệ vật liệu GaN / AlxGa1-xN. Mô tả đặc trưng về cấu trúc mạng cũng như cấu trúc vùng năng lượng của cấu trúc dị chất này. Tính giải tích các biểu thức toán học cho thế giam giữ V(z) cho trường hợp tạp nền và tạp điều biến trong cấu trúc dị chất đơn GaN / AlxGa1-xN. Tính số và thảo luận về phân bố khí điện tử giả hai chiều hình thành trong cấu trúc dị chất đơn GaN / AlxGa1-xN cho trường hợp tạp nền và tạp điều biến với các chương trình máy tính. 
650 |a Electron gas,Quantum wells,Khí điện tử,Giếng lượng tử 
904 |i Hằng Ni, Năm 
980 |a Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ