Phân bố khí điện tử giả hai chiều trong cấu trúc dị chất đơn GaN/AlGaN : Luận văn Thạc sĩ. Chuyên ngành: Vật lí lí thuyết và vật lí toán
Luận văn trình bày sơ lược về linh kiện giếng lượng tử. Trình bày về cấu trúc dị chất, nói về phương pháp nuôi cấu trúc dị chất cụ thể là phương pháp epitaxy chùm phân tử (MBE) và phân loại các cấu trúc dị chất. Trình bày một số đ...
Đã lưu trong:
Tác giả chính: | Đặng, Hồng Cám |
---|---|
Định dạng: | Sách |
Ngôn ngữ: | Undetermined |
Được phát hành: |
Cần Thơ
Trường Đại học Cần Thơ
2012
|
Những chủ đề: | |
Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
Thư viện lưu trữ: | Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ |
---|
Những quyển sách tương tự
-
Phân bố khí điện tử giả hai chiều trong cấu trúc dị chất đơn dựa trên hệ vật liệu AlxGa1 - xAs/GaAs :
Bỡi: Nguyễn, Văn Mạnh
Được phát hành: (2012) -
Độ linh động điện tử trong cấu trúc dị chất đơn dựa trên hệ vật liệu GaN/ AlGaN :
Bỡi: Nguyễn, Thanh Tuấn
Được phát hành: (2013) -
Ảnh hưởng của điện trường lên tạp chất trong dây lượng tử bề mặt :
Bỡi: Nguyễn, Thị Tú Trinh
Được phát hành: (2010) -
Khảo sát một số hiện tượng quang phi tuyến trong cấu trúc dị chất AlGaN/GaN :
Bỡi: Phạm, Thị Thúy Oanh
Được phát hành: (2014) -
Dùng hạt nano vàng để điều khiển độ dẫn điện của khí điện tử hai chiều tại bề mặt phân cách giữa hai vật liệu điện môi LaAlO3/SrTiO3 :
Bỡi: Vũ, Thanh Trà
Được phát hành: (2017)