Phân bố khí điện tử giả hai chiều trong cấu trúc dị chất đơn GaN/AlGaN : Luận văn Thạc sĩ. Chuyên ngành: Vật lí lí thuyết và vật lí toán
Luận văn trình bày sơ lược về linh kiện giếng lượng tử. Trình bày về cấu trúc dị chất, nói về phương pháp nuôi cấu trúc dị chất cụ thể là phương pháp epitaxy chùm phân tử (MBE) và phân loại các cấu trúc dị chất. Trình bày một số đ...
שמור ב:
| מחבר ראשי: | Đặng, Hồng Cám |
|---|---|
| פורמט: | ספר |
| שפה: | Undetermined |
| יצא לאור: |
Cần Thơ
Trường Đại học Cần Thơ
2012
|
| נושאים: | |
| תגים: |
הוספת תג
אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!
|
| Thư viện lưu trữ: | Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ |
|---|
פריטים דומים
-
Phân bố khí điện tử giả hai chiều trong cấu trúc dị chất đơn dựa trên hệ vật liệu AlxGa1 - xAs/GaAs :
מאת: Nguyễn, Văn Mạnh
יצא לאור: (2012) -
Độ linh động điện tử trong cấu trúc dị chất đơn dựa trên hệ vật liệu GaN/ AlGaN :
מאת: Nguyễn, Thanh Tuấn
יצא לאור: (2013) -
Improved AlGaN/GaN HEMT Performance by Using Field Plate and Passivation Layer
מאת: Than, Hong Phuc, et al.
יצא לאור: (2022) -
Effects of Insulator Dielectric Passivation Layer on the Breakdown Voltage of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor
מאת: Than, Hong Phuc, et al.
יצא לאור: (2022) -
Ảnh hưởng của điện trường lên tạp chất trong dây lượng tử bề mặt :
מאת: Nguyễn, Thị Tú Trinh
יצא לאור: (2010)