Phân bố khí điện tử giả hai chiều trong cấu trúc dị chất đơn GaN/AlGaN : Luận văn Thạc sĩ. Chuyên ngành: Vật lí lí thuyết và vật lí toán
Luận văn trình bày sơ lược về linh kiện giếng lượng tử. Trình bày về cấu trúc dị chất, nói về phương pháp nuôi cấu trúc dị chất cụ thể là phương pháp epitaxy chùm phân tử (MBE) và phân loại các cấu trúc dị chất. Trình bày một số đ...
Tallennettuna:
| Päätekijä: | Đặng, Hồng Cám |
|---|---|
| Aineistotyyppi: | Kirja |
| Kieli: | Undetermined |
| Julkaistu: |
Cần Thơ
Trường Đại học Cần Thơ
2012
|
| Aiheet: | |
| Tagit: |
Lisää tagi
Ei tageja, Lisää ensimmäinen tagi!
|
| Thư viện lưu trữ: | Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ |
|---|
Samankaltaisia teoksia
-
Phân bố khí điện tử giả hai chiều trong cấu trúc dị chất đơn dựa trên hệ vật liệu AlxGa1 - xAs/GaAs :
Tekijä: Nguyễn, Văn Mạnh
Julkaistu: (2012) -
Độ linh động điện tử trong cấu trúc dị chất đơn dựa trên hệ vật liệu GaN/ AlGaN :
Tekijä: Nguyễn, Thanh Tuấn
Julkaistu: (2013) -
Improved AlGaN/GaN HEMT Performance by Using Field Plate and Passivation Layer
Tekijä: Than, Hong Phuc, et al.
Julkaistu: (2022) -
Effects of Insulator Dielectric Passivation Layer on the Breakdown Voltage of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor
Tekijä: Than, Hong Phuc, et al.
Julkaistu: (2022) -
Ảnh hưởng của điện trường lên tạp chất trong dây lượng tử bề mặt :
Tekijä: Nguyễn, Thị Tú Trinh
Julkaistu: (2010)