Phân bố khí điện tử giả hai chiều trong cấu trúc dị chất đơn GaN/AlGaN : Luận văn Thạc sĩ. Chuyên ngành: Vật lí lí thuyết và vật lí toán
Luận văn trình bày sơ lược về linh kiện giếng lượng tử. Trình bày về cấu trúc dị chất, nói về phương pháp nuôi cấu trúc dị chất cụ thể là phương pháp epitaxy chùm phân tử (MBE) và phân loại các cấu trúc dị chất. Trình bày một số đ...
Bewaard in:
| Hoofdauteur: | Đặng, Hồng Cám |
|---|---|
| Formaat: | Boek |
| Taal: | Undetermined |
| Gepubliceerd in: |
Cần Thơ
Trường Đại học Cần Thơ
2012
|
| Onderwerpen: | |
| Tags: |
Voeg label toe
Geen labels, Wees de eerste die dit record labelt!
|
| Thư viện lưu trữ: | Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ |
|---|
Gelijkaardige items
-
Phân bố khí điện tử giả hai chiều trong cấu trúc dị chất đơn dựa trên hệ vật liệu AlxGa1 - xAs/GaAs :
door: Nguyễn, Văn Mạnh
Gepubliceerd in: (2012) -
Độ linh động điện tử trong cấu trúc dị chất đơn dựa trên hệ vật liệu GaN/ AlGaN :
door: Nguyễn, Thanh Tuấn
Gepubliceerd in: (2013) -
Improved AlGaN/GaN HEMT Performance by Using Field Plate and Passivation Layer
door: Than, Hong Phuc, et al.
Gepubliceerd in: (2022) -
Effects of Insulator Dielectric Passivation Layer on the Breakdown Voltage of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor
door: Than, Hong Phuc, et al.
Gepubliceerd in: (2022) -
Ảnh hưởng của điện trường lên tạp chất trong dây lượng tử bề mặt :
door: Nguyễn, Thị Tú Trinh
Gepubliceerd in: (2010)