Ảnh hưởng của các nguồn tán xạ vào bề rộng vạch phổ hấp thụ giữa các vùng con trong giếng lượng tử GaAs ở nhiệt độ thấp : Luận văn thạc sĩ Vật lý. Chuyên ngành: Vật lý lý thuyết và vật lý toán

Luận văn đã trình bày đầy đủ và cụ thể các thế giam giữ 2DEG tồn tại trong cấu trúc dị chất dựa trên vật liệu AlGaAs/GaAS/AlGaAs và cơ chế tán xạ nhám bề mặt

Đã lưu trong:
Chi tiết về thư mục
Tác giả chính: Đặng, Minh Thứ
Định dạng: Sách
Ngôn ngữ:Undetermined
Được phát hành: Cần Thơ Đại học Cần Thơ 2013
Những chủ đề:
Các nhãn: Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
Thư viện lưu trữ: Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ
LEADER 01198nam a2200217Ia 4500
001 CTU_181941
008 210402s9999 xx 000 0 und d
082 |a 539.75 
082 |b Th550 
088 |a 604401 
100 |a Đặng, Minh Thứ 
245 0 |a Ảnh hưởng của các nguồn tán xạ vào bề rộng vạch phổ hấp thụ giữa các vùng con trong giếng lượng tử GaAs ở nhiệt độ thấp : 
245 0 |b Luận văn thạc sĩ Vật lý. Chuyên ngành: Vật lý lý thuyết và vật lý toán 
245 0 |c Đặng Minh Thứ ; Nguyễn Thành Tiên (người hướng dẫn) 
260 |a Cần Thơ 
260 |b Đại học Cần Thơ 
260 |c 2013 
520 |a Luận văn đã trình bày đầy đủ và cụ thể các thế giam giữ 2DEG tồn tại trong cấu trúc dị chất dựa trên vật liệu AlGaAs/GaAS/AlGaAs và cơ chế tán xạ nhám bề mặt 
650 |a Vật lý lượng tử,Nuclear physics 
904 |i Thanh Khuyên 
980 |a Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ