Ảnh hưởng của các nguồn tán xạ vào bề rộng vạch phổ hấp thụ giữa các vùng con trong giếng lượng tử GaAs ở nhiệt độ thấp : Luận văn thạc sĩ Vật lý. Chuyên ngành: Vật lý lý thuyết và vật lý toán
Luận văn đã trình bày đầy đủ và cụ thể các thế giam giữ 2DEG tồn tại trong cấu trúc dị chất dựa trên vật liệu AlGaAs/GaAS/AlGaAs và cơ chế tán xạ nhám bề mặt
Đã lưu trong:
Tác giả chính: | |
---|---|
Định dạng: | Sách |
Ngôn ngữ: | Undetermined |
Được phát hành: |
Cần Thơ
Đại học Cần Thơ
2013
|
Những chủ đề: | |
Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
Thư viện lưu trữ: | Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ |
---|
LEADER | 01198nam a2200217Ia 4500 | ||
---|---|---|---|
001 | CTU_181941 | ||
008 | 210402s9999 xx 000 0 und d | ||
082 | |a 539.75 | ||
082 | |b Th550 | ||
088 | |a 604401 | ||
100 | |a Đặng, Minh Thứ | ||
245 | 0 | |a Ảnh hưởng của các nguồn tán xạ vào bề rộng vạch phổ hấp thụ giữa các vùng con trong giếng lượng tử GaAs ở nhiệt độ thấp : | |
245 | 0 | |b Luận văn thạc sĩ Vật lý. Chuyên ngành: Vật lý lý thuyết và vật lý toán | |
245 | 0 | |c Đặng Minh Thứ ; Nguyễn Thành Tiên (người hướng dẫn) | |
260 | |a Cần Thơ | ||
260 | |b Đại học Cần Thơ | ||
260 | |c 2013 | ||
520 | |a Luận văn đã trình bày đầy đủ và cụ thể các thế giam giữ 2DEG tồn tại trong cấu trúc dị chất dựa trên vật liệu AlGaAs/GaAS/AlGaAs và cơ chế tán xạ nhám bề mặt | ||
650 | |a Vật lý lượng tử,Nuclear physics | ||
904 | |i Thanh Khuyên | ||
980 | |a Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ |