Ảnh hưởng của các nguồn tán xạ vào bề rộng vạch phổ hấp thụ giữa các vùng con trong giếng lượng tử GaAs ở nhiệt độ thấp : Luận văn thạc sĩ Vật lý. Chuyên ngành: Vật lý lý thuyết và vật lý toán
Luận văn đã trình bày đầy đủ và cụ thể các thế giam giữ 2DEG tồn tại trong cấu trúc dị chất dựa trên vật liệu AlGaAs/GaAS/AlGaAs và cơ chế tán xạ nhám bề mặt
Αποθηκεύτηκε σε:
| Κύριος συγγραφέας: | Đặng, Minh Thứ |
|---|---|
| Μορφή: | Βιβλίο |
| Γλώσσα: | Undetermined |
| Έκδοση: |
Cần Thơ
Đại học Cần Thơ
2013
|
| Θέματα: | |
| Ετικέτες: |
Προσθήκη ετικέτας
Δεν υπάρχουν, Καταχωρήστε ετικέτα πρώτοι!
|
| Thư viện lưu trữ: | Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ |
|---|
Παρόμοια τεκμήρια
-
Ảnh hưởng của các nguồn tán xạ vào bề rộng vạch phổ hấp thụ giữa các vùng con trong giếng lượng tử GaN ở nhiệt độ thấp :
ανά: Lê, Thị Thu Vân
Έκδοση: (2013) -
Khả năng điếu khiển phổ hấp thụ giữa các mức Landau của giếng lượng tử GaAs/AlGaAs
ανά: Doan, The Ngo Vinh, κ.ά.
Έκδοση: (2023) -
Exciton Transport Phenomena in GaAs Coupled Quantum Wells. 1st ed. 2018
ανά: Leonard, Jason
Έκδοση: (2020) -
Thế giới vô cùng bé :
ανά: Trần, Duy Liên
Έκδοση: (2008) -
Vật lý học nguyên tử và nhiệt động lực học
ανά: Bùi Trọng Tuân
Έκδοση: (1967)