Ảnh hưởng của các nguồn tán xạ vào bề rộng vạch phổ hấp thụ giữa các vùng con trong giếng lượng tử GaAs ở nhiệt độ thấp : Luận văn thạc sĩ Vật lý. Chuyên ngành: Vật lý lý thuyết và vật lý toán
Luận văn đã trình bày đầy đủ và cụ thể các thế giam giữ 2DEG tồn tại trong cấu trúc dị chất dựa trên vật liệu AlGaAs/GaAS/AlGaAs và cơ chế tán xạ nhám bề mặt
Guardat en:
| Autor principal: | Đặng, Minh Thứ |
|---|---|
| Format: | Llibre |
| Idioma: | Undetermined |
| Publicat: |
Cần Thơ
Đại học Cần Thơ
2013
|
| Matèries: | |
| Etiquetes: |
Afegir etiqueta
Sense etiquetes, Sigues el primer a etiquetar aquest registre!
|
| Thư viện lưu trữ: | Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ |
|---|
Ítems similars
-
Ảnh hưởng của các nguồn tán xạ vào bề rộng vạch phổ hấp thụ giữa các vùng con trong giếng lượng tử GaN ở nhiệt độ thấp :
per: Lê, Thị Thu Vân
Publicat: (2013) -
Khả năng điếu khiển phổ hấp thụ giữa các mức Landau của giếng lượng tử GaAs/AlGaAs
per: Doan, The Ngo Vinh, et al.
Publicat: (2023) -
Exciton Transport Phenomena in GaAs Coupled Quantum Wells. 1st ed. 2018
per: Leonard, Jason
Publicat: (2020) -
Thế giới vô cùng bé :
per: Trần, Duy Liên
Publicat: (2008) -
Vật lý học nguyên tử và nhiệt động lực học
per: Bùi Trọng Tuân
Publicat: (1967)