Ảnh hưởng của các nguồn tán xạ vào bề rộng vạch phổ hấp thụ giữa các vùng con trong giếng lượng tử GaAs ở nhiệt độ thấp : Luận văn thạc sĩ Vật lý. Chuyên ngành: Vật lý lý thuyết và vật lý toán
Luận văn đã trình bày đầy đủ và cụ thể các thế giam giữ 2DEG tồn tại trong cấu trúc dị chất dựa trên vật liệu AlGaAs/GaAS/AlGaAs và cơ chế tán xạ nhám bề mặt
保存先:
| 第一著者: | Đặng, Minh Thứ |
|---|---|
| フォーマット: | 図書 |
| 言語: | Undetermined |
| 出版事項: |
Cần Thơ
Đại học Cần Thơ
2013
|
| 主題: | |
| タグ: |
タグ追加
タグなし, このレコードへの初めてのタグを付けませんか!
|
| Thư viện lưu trữ: | Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ |
|---|
類似資料
-
Ảnh hưởng của các nguồn tán xạ vào bề rộng vạch phổ hấp thụ giữa các vùng con trong giếng lượng tử GaN ở nhiệt độ thấp :
著者:: Lê, Thị Thu Vân
出版事項: (2013) -
Khả năng điếu khiển phổ hấp thụ giữa các mức Landau của giếng lượng tử GaAs/AlGaAs
著者:: Doan, The Ngo Vinh, 等
出版事項: (2023) -
Exciton Transport Phenomena in GaAs Coupled Quantum Wells. 1st ed. 2018
著者:: Leonard, Jason
出版事項: (2020) -
Thế giới vô cùng bé :
著者:: Trần, Duy Liên
出版事項: (2008) -
Vật lý học nguyên tử và nhiệt động lực học
著者:: Bùi Trọng Tuân
出版事項: (1967)