Ảnh hưởng của các nguồn tán xạ vào bề rộng vạch phổ hấp thụ giữa các vùng con trong giếng lượng tử GaAs ở nhiệt độ thấp : Luận văn thạc sĩ Vật lý. Chuyên ngành: Vật lý lý thuyết và vật lý toán
Luận văn đã trình bày đầy đủ và cụ thể các thế giam giữ 2DEG tồn tại trong cấu trúc dị chất dựa trên vật liệu AlGaAs/GaAS/AlGaAs và cơ chế tán xạ nhám bề mặt
Salvato in:
| Autore principale: | Đặng, Minh Thứ |
|---|---|
| Natura: | Libro |
| Lingua: | Undetermined |
| Pubblicazione: |
Cần Thơ
Đại học Cần Thơ
2013
|
| Soggetti: | |
| Tags: |
Aggiungi Tag
Nessun Tag, puoi essere il primo ad aggiungerne! !
|
| Thư viện lưu trữ: | Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ |
|---|
Documenti analoghi
-
Ảnh hưởng của các nguồn tán xạ vào bề rộng vạch phổ hấp thụ giữa các vùng con trong giếng lượng tử GaN ở nhiệt độ thấp :
di: Lê, Thị Thu Vân
Pubblicazione: (2013) -
Khả năng điếu khiển phổ hấp thụ giữa các mức Landau của giếng lượng tử GaAs/AlGaAs
di: Doan, The Ngo Vinh, et al.
Pubblicazione: (2023) -
Exciton Transport Phenomena in GaAs Coupled Quantum Wells. 1st ed. 2018
di: Leonard, Jason
Pubblicazione: (2020) -
Thế giới vô cùng bé :
di: Trần, Duy Liên
Pubblicazione: (2008) -
Vật lý học nguyên tử và nhiệt động lực học
di: Bùi Trọng Tuân
Pubblicazione: (1967)