Ảnh hưởng của các nguồn tán xạ vào bề rộng vạch phổ hấp thụ giữa các vùng con trong giếng lượng tử GaAs ở nhiệt độ thấp : Luận văn thạc sĩ Vật lý. Chuyên ngành: Vật lý lý thuyết và vật lý toán
Luận văn đã trình bày đầy đủ và cụ thể các thế giam giữ 2DEG tồn tại trong cấu trúc dị chất dựa trên vật liệu AlGaAs/GaAS/AlGaAs và cơ chế tán xạ nhám bề mặt
Kaydedildi:
| Yazar: | Đặng, Minh Thứ |
|---|---|
| Materyal Türü: | Kitap |
| Dil: | Undetermined |
| Baskı/Yayın Bilgisi: |
Cần Thơ
Đại học Cần Thơ
2013
|
| Konular: | |
| Etiketler: |
Etiketle
Etiket eklenmemiş, İlk siz ekleyin!
|
| Thư viện lưu trữ: | Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ |
|---|
Benzer Materyaller
-
Ảnh hưởng của các nguồn tán xạ vào bề rộng vạch phổ hấp thụ giữa các vùng con trong giếng lượng tử GaN ở nhiệt độ thấp :
Yazar:: Lê, Thị Thu Vân
Baskı/Yayın Bilgisi: (2013) -
Khả năng điếu khiển phổ hấp thụ giữa các mức Landau của giếng lượng tử GaAs/AlGaAs
Yazar:: Doan, The Ngo Vinh, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2023) -
Exciton Transport Phenomena in GaAs Coupled Quantum Wells. 1st ed. 2018
Yazar:: Leonard, Jason
Baskı/Yayın Bilgisi: (2020) -
Thế giới vô cùng bé :
Yazar:: Trần, Duy Liên
Baskı/Yayın Bilgisi: (2008) -
Vật lý học nguyên tử và nhiệt động lực học
Yazar:: Bùi Trọng Tuân
Baskı/Yayın Bilgisi: (1967)