Ảnh hưởng của các nguồn tán xạ vào bề rộng vạch phổ hấp thụ giữa các vùng con trong giếng lượng tử GaAs ở nhiệt độ thấp : Luận văn thạc sĩ Vật lý. Chuyên ngành: Vật lý lý thuyết và vật lý toán
Luận văn đã trình bày đầy đủ và cụ thể các thế giam giữ 2DEG tồn tại trong cấu trúc dị chất dựa trên vật liệu AlGaAs/GaAS/AlGaAs và cơ chế tán xạ nhám bề mặt
שמור ב:
| מחבר ראשי: | Đặng, Minh Thứ |
|---|---|
| פורמט: | ספר |
| שפה: | Undetermined |
| יצא לאור: |
Cần Thơ
Đại học Cần Thơ
2013
|
| נושאים: | |
| תגים: |
הוספת תג
אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!
|
| Thư viện lưu trữ: | Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ |
|---|
פריטים דומים
-
Ảnh hưởng của các nguồn tán xạ vào bề rộng vạch phổ hấp thụ giữa các vùng con trong giếng lượng tử GaN ở nhiệt độ thấp :
מאת: Lê, Thị Thu Vân
יצא לאור: (2013) -
Khả năng điếu khiển phổ hấp thụ giữa các mức Landau của giếng lượng tử GaAs/AlGaAs
מאת: Doan, The Ngo Vinh, et al.
יצא לאור: (2023) -
Exciton Transport Phenomena in GaAs Coupled Quantum Wells. 1st ed. 2018
מאת: Leonard, Jason
יצא לאור: (2020) -
Thế giới vô cùng bé :
מאת: Trần, Duy Liên
יצא לאור: (2008) -
Vật lý học nguyên tử và nhiệt động lực học
מאת: Bùi Trọng Tuân
יצא לאור: (1967)