Ảnh hưởng của các nguồn tán xạ vào bề rộng vạch phổ hấp thụ giữa các vùng con trong giếng lượng tử GaAs ở nhiệt độ thấp : Luận văn thạc sĩ Vật lý. Chuyên ngành: Vật lý lý thuyết và vật lý toán
Luận văn đã trình bày đầy đủ và cụ thể các thế giam giữ 2DEG tồn tại trong cấu trúc dị chất dựa trên vật liệu AlGaAs/GaAS/AlGaAs và cơ chế tán xạ nhám bề mặt
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | Đặng, Minh Thứ |
|---|---|
| Format: | Buch |
| Sprache: | Undetermined |
| Veröffentlicht: |
Cần Thơ
Đại học Cần Thơ
2013
|
| Schlagworte: | |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Thư viện lưu trữ: | Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ |
|---|
Ähnliche Einträge
-
Ảnh hưởng của các nguồn tán xạ vào bề rộng vạch phổ hấp thụ giữa các vùng con trong giếng lượng tử GaN ở nhiệt độ thấp :
von: Lê, Thị Thu Vân
Veröffentlicht: (2013) -
Khả năng điếu khiển phổ hấp thụ giữa các mức Landau của giếng lượng tử GaAs/AlGaAs
von: Doan, The Ngo Vinh, et al.
Veröffentlicht: (2023) -
Exciton Transport Phenomena in GaAs Coupled Quantum Wells. 1st ed. 2018
von: Leonard, Jason
Veröffentlicht: (2020) -
Thế giới vô cùng bé :
von: Trần, Duy Liên
Veröffentlicht: (2008) -
Vật lý học nguyên tử và nhiệt động lực học
von: Bùi Trọng Tuân
Veröffentlicht: (1967)