Ảnh hưởng của các nguồn tán xạ vào bề rộng vạch phổ hấp thụ giữa các vùng con trong giếng lượng tử GaAs ở nhiệt độ thấp : Luận văn thạc sĩ Vật lý. Chuyên ngành: Vật lý lý thuyết và vật lý toán
Luận văn đã trình bày đầy đủ và cụ thể các thế giam giữ 2DEG tồn tại trong cấu trúc dị chất dựa trên vật liệu AlGaAs/GaAS/AlGaAs và cơ chế tán xạ nhám bề mặt
Bewaard in:
| Hoofdauteur: | Đặng, Minh Thứ |
|---|---|
| Formaat: | Boek |
| Taal: | Undetermined |
| Gepubliceerd in: |
Cần Thơ
Đại học Cần Thơ
2013
|
| Onderwerpen: | |
| Tags: |
Voeg label toe
Geen labels, Wees de eerste die dit record labelt!
|
| Thư viện lưu trữ: | Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ |
|---|
Gelijkaardige items
-
Ảnh hưởng của các nguồn tán xạ vào bề rộng vạch phổ hấp thụ giữa các vùng con trong giếng lượng tử GaN ở nhiệt độ thấp :
door: Lê, Thị Thu Vân
Gepubliceerd in: (2013) -
Khả năng điếu khiển phổ hấp thụ giữa các mức Landau của giếng lượng tử GaAs/AlGaAs
door: Doan, The Ngo Vinh, et al.
Gepubliceerd in: (2023) -
Exciton Transport Phenomena in GaAs Coupled Quantum Wells. 1st ed. 2018
door: Leonard, Jason
Gepubliceerd in: (2020) -
Thế giới vô cùng bé :
door: Trần, Duy Liên
Gepubliceerd in: (2008) -
Vật lý học nguyên tử và nhiệt động lực học
door: Bùi Trọng Tuân
Gepubliceerd in: (1967)