Ảnh hưởng của các nguồn tán xạ vào bề rộng vạch phổ hấp thụ giữa các vùng con trong giếng lượng tử GaAs ở nhiệt độ thấp : Luận văn thạc sĩ Vật lý. Chuyên ngành: Vật lý lý thuyết và vật lý toán
Luận văn đã trình bày đầy đủ và cụ thể các thế giam giữ 2DEG tồn tại trong cấu trúc dị chất dựa trên vật liệu AlGaAs/GaAS/AlGaAs và cơ chế tán xạ nhám bề mặt
Na minha lista:
| Autor principal: | Đặng, Minh Thứ |
|---|---|
| Formato: | Livro |
| Idioma: | Undetermined |
| Publicado em: |
Cần Thơ
Đại học Cần Thơ
2013
|
| Assuntos: | |
| Tags: |
Adicionar Tag
Sem tags, seja o primeiro a adicionar uma tag!
|
| Thư viện lưu trữ: | Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ |
|---|
Registos relacionados
-
Ảnh hưởng của các nguồn tán xạ vào bề rộng vạch phổ hấp thụ giữa các vùng con trong giếng lượng tử GaN ở nhiệt độ thấp :
Por: Lê, Thị Thu Vân
Publicado em: (2013) -
Khả năng điếu khiển phổ hấp thụ giữa các mức Landau của giếng lượng tử GaAs/AlGaAs
Por: Doan, The Ngo Vinh, et al.
Publicado em: (2023) -
Exciton Transport Phenomena in GaAs Coupled Quantum Wells. 1st ed. 2018
Por: Leonard, Jason
Publicado em: (2020) -
Thế giới vô cùng bé :
Por: Trần, Duy Liên
Publicado em: (2008) -
Vật lý học nguyên tử và nhiệt động lực học
Por: Bùi Trọng Tuân
Publicado em: (1967)