Độ linh động điện tử trong cấu trúc dị chất đơn dựa trên hệ vật liệu GaN/ AlGaN : Luận văn Thạc sĩ. Ngành Vật lí Kĩ thuật

Đề tài nghiên cứu về cơ sở vật lý về độ linh động điện tử trong cấu trúc dị chất đơn trên hệ vật liệu GaN/ AlGaN; phân tích mô hình vật lý, xây dựng biểu thức giải tích cho các cơ chế tán xạ....

Mô tả đầy đủ

Đã lưu trong:
Chi tiết về thư mục
Tác giả chính: Nguyễn, Thanh Tuấn
Định dạng: Sách
Ngôn ngữ:Undetermined
Được phát hành: Cần Thơ Trường Đại học Cần Thơ 2013
Những chủ đề:
Các nhãn: Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
Thư viện lưu trữ: Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ
LEADER 01174nam a2200217Ia 4500
001 CTU_185317
008 210402s9999 xx 000 0 und d
082 |a 537.6226 
082 |b T502 
088 |a 60440103 
100 |a Nguyễn, Thanh Tuấn 
245 0 |a Độ linh động điện tử trong cấu trúc dị chất đơn dựa trên hệ vật liệu GaN/ AlGaN : 
245 0 |b Luận văn Thạc sĩ. Ngành Vật lí Kĩ thuật 
245 0 |c Nguyễn Thanh Tuấn ; Nguyễn Thành Tiên (Người hướng dẫn) 
260 |a Cần Thơ 
260 |b Trường Đại học Cần Thơ 
260 |c 2013 
520 |a Đề tài nghiên cứu về cơ sở vật lý về độ linh động điện tử trong cấu trúc dị chất đơn trên hệ vật liệu GaN/ AlGaN; phân tích mô hình vật lý, xây dựng biểu thức giải tích cho các cơ chế tán xạ. 
650 |a Vật liệu,Electrons,Materials,Điện tử 
904 |i Thùy, Trúc 
980 |a Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ