Độ linh động điện tử trong cấu trúc dị chất đơn dựa trên hệ vật liệu GaN/ AlGaN :

QR code

Độ linh động điện tử trong cấu trúc dị chất đơn dựa trên hệ vật liệu GaN/ AlGaN : Luận văn Thạc sĩ. Ngành Vật lí Kĩ thuật

Đề tài nghiên cứu về cơ sở vật lý về độ linh động điện tử trong cấu trúc dị chất đơn trên hệ vật liệu GaN/ AlGaN; phân tích mô hình vật lý, xây dựng biểu thức giải tích cho các cơ chế tán xạ....

Volledige beschrijving

Bewaard in:

Bibliografische gegevens
Hoofdauteur:	Nguyễn, Thanh Tuấn
Formaat:	Boek
Taal:	Undetermined
Gepubliceerd in:	Cần Thơ Trường Đại học Cần Thơ 2013
Onderwerpen:	Vật liệu,Electrons,Materials,Điện tử
Tags:	Voeg label toe Geen labels, Wees de eerste die dit record labelt!

Thư viện lưu trữ:	Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ

Gelijkaardige items

Phân bố khí điện tử giả hai chiều trong cấu trúc dị chất đơn GaN/AlGaN :
door: Đặng, Hồng Cám
Gepubliceerd in: (2012)

Improved AlGaN/GaN HEMT Performance by Using Field Plate and Passivation Layer
door: Than, Hong Phuc, et al.
Gepubliceerd in: (2022)

Effects of Insulator Dielectric Passivation Layer on the Breakdown Voltage of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor
door: Than, Hong Phuc, et al.
Gepubliceerd in: (2022)

Khảo sát một số hiện tượng quang phi tuyến trong cấu trúc dị chất AlGaN/GaN :
door: Phạm, Thị Thúy Oanh
Gepubliceerd in: (2014)

Độ linh động điện tử đa vùng con trong các cấu trúc giếng lượng tử bất đối xứng dựa trên hệ vật liệu GaN/AlGaN :
door: Tiêu, Tín Nguyên
Gepubliceerd in: (2017)

Power GaN Devices
door: Meneghini, Matteo, et al.
Gepubliceerd in: (2020)

AlGaN/GaN Metal-Insulator-Semiconductor Heterojunction Field-Effect Transistors Using BN and AlTiO High-k Gate Insulators
door: Nguyen Quy Tuan

RAMAN SPECTROSCOPY OF GaN/AlxGa1-xN/AlN/Si STRUCTURES
door: Nguyen, Linh Chi, et al.
Gepubliceerd in: (2023)

High-Frequency GaN Electronic Devices
door: Fay, Patrick, et al.
Gepubliceerd in: (2020)

Electrical characterizations of diodes fabricated on GaN and InGaN films by RF magnetron sputtering
door: Thi, Tran Anh Tuan
Gepubliceerd in: (2015)

Photoreflectance measurement in Si3N4/Al0.21Ga0.79As/GaAs heterostructure /

Phân bố khí điện tử giả hai chiều trong cấu trúc dị chất đơn dựa trên hệ vật liệu AlxGa1 - xAs/GaAs :
door: Nguyễn, Văn Mạnh
Gepubliceerd in: (2012)

Thăng giám mật độ không đồng nhất của các điện tích áp điện hai chiều trong cấu trúc dị tính A1GaN/GaN thực/
door: .

Mô hình Fang-Howard cho khí điện tử giả hai chiều trong giếng lượng tử A/GaN/GaN
door: Đỗ, Mười, et al.
Gepubliceerd in: (2024)

Mô hình Fang-Howard cho khí điện tử giả hai chiều trong giếng lượng tử A/GaN/GaN
door: Đỗ, Mười, et al.
Gepubliceerd in: (2019)

Nghiên cứu tính chất điện tử của cấu trúc siêu mạng dựa trên dãy dị chất ZnO/GaN kiểu Armchair bằng phương pháp phiếm hàm mật độ :
door: Huỳnh, Thị Mỹ Duyên
Gepubliceerd in: (2017)

Nghiên cứu tính chất điện tử của cấu trúc siêu mạng dựa trên dãy dị chất ZnO/GaN kiểu Armchair bằng phương pháp phiếm hàm mật độ :
door: Trần, Thị Cẩm Thi
Gepubliceerd in: (2017)

Nghiên cứu cấu trúc giếng lượng tử InGaN/GaN trong điôt phát sáng (LED) chế tạo bằng phương pháp MOCVD
door: Trần, Bình Tịnh
Gepubliceerd in: (2011)

Nghiên cứu hiệu ứng Stark quang học trong chấm lượng tử InN/GaN
door: Phan, Thị Ái Nhị, et al.
Gepubliceerd in: (2024)

Mô hình hóa lượng tử tự hợp các thiết bị có cấu trúc dị chất gốc GaN /
door: Vũ Ngọc Tước.

Khảo sát các cơ chế tán xạ giới hạn độ linh động điện tử hai chiều trong cấu trúc AIGaN/GaN theo nhiệt độ :
door: Hồ, An Giang
Gepubliceerd in: (2014)

Electronic materials /
door: Kwok, H. L.
Gepubliceerd in: (1997)

The dependence of an acoustomagnetoelectric field on the temperature in a cylindrical quantum wire AlGaAs/GaAs

Synthesis of novel nanostructured gamma-Al2O3 by pyrolysis of aluminiumoxyhydride-HalO /
door: Liu, Suwen.

Electronic materials : inside electronic devices.
Gepubliceerd in: (1998)

Mô phỏng nghiên cứu siêu vật liệu dựa trên cấu trúc SSRR :
door: Phan, Tấn Tường
Gepubliceerd in: (2017)

Electronic materials and processes handbook
door: Harper, Charles A.
Gepubliceerd in: (2003)

Enhanced photoemission in dispersed Eu2O3 nanoparticles in amorphous Al2O3 /
door: Mohanty, P.

Nghiên cứu hiện tượng chuyển dời quang giữa các vùng con trong giếng lượng tử dựa trên vật liệu GaN :
door: Phạm, Thị Bích Thảo
Gepubliceerd in: (2015)

Enhanced cathode-luminescence in a InxGa1-xN/ InyGa1-yN green light emitting diode structure using two-dimensional photonic crystals /
door: Lee, Jae Jin.

Bệnh cúm H5N1 ở gà và chim
door: Chu, Thị Thơm
Gepubliceerd in: (2006)

Synthesis and characterization of MgAl2O4 spinel nanowires /

Optical limiting in the visible range : Molecular engineering around N4,N4-bis(4-methoxyphenyl)-N4,N4-diphenyl-4,4-diaminobiphenyl /

Quaternary Capped In(Ga)As/GaAs Quantum Dot Infrared Photodetectors. 1st ed. 2018
door: Adhikary, Sourav, et al.
Gepubliceerd in: (2020)

SỰ THAY ĐỔI CẤU TRÚC CỦA VẬT LIỆU HAI CHIỀU GaN: LÀM RÕ TỪ NGHIÊN CỨU ĐỘNG LỰC HỌC PHÂN TỬ
door: Mai, Văn Dung, et al.
Gepubliceerd in: (2025)

Materials for high-density electronic packaging and interconnection
Gepubliceerd in: (1990)

Phân bố khí điện tử giả hai chiền trong cấu trúc dị chất đơn ZnO/MgZnO :
door: Đặng, Hoàng Phượng
Gepubliceerd in: (2012)

Solder Joint Reliability Prediction for Multiple Environments
door: Perkins, Andrew E., et al.
Gepubliceerd in: (2020)

A Guide to Lead-free Solders
door: Evans, John W., et al.
Gepubliceerd in: (2020)

Springer Handbook of Nanomaterials
door: Vajtai, Robert
Gepubliceerd in: (2020)