Độ linh động điện tử trong cấu trúc dị chất đơn dựa trên hệ vật liệu GaN/ AlGaN : Luận văn Thạc sĩ. Ngành Vật lí Kĩ thuật
Đề tài nghiên cứu về cơ sở vật lý về độ linh động điện tử trong cấu trúc dị chất đơn trên hệ vật liệu GaN/ AlGaN; phân tích mô hình vật lý, xây dựng biểu thức giải tích cho các cơ chế tán xạ....
Enregistré dans:
| Auteur principal: | Nguyễn, Thanh Tuấn |
|---|---|
| Format: | Livre |
| Langue: | Undetermined |
| Publié: |
Cần Thơ
Trường Đại học Cần Thơ
2013
|
| Sujets: | |
| Tags: |
Ajouter un tag
Pas de tags, Soyez le premier à ajouter un tag!
|
| Thư viện lưu trữ: | Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ |
|---|
Documents similaires
-
Phân bố khí điện tử giả hai chiều trong cấu trúc dị chất đơn GaN/AlGaN :
par: Đặng, Hồng Cám
Publié: (2012) -
Improved AlGaN/GaN HEMT Performance by Using Field Plate and Passivation Layer
par: Than, Hong Phuc, et autres
Publié: (2022) -
Độ linh động điện tử đa vùng con trong các cấu trúc giếng lượng tử bất đối xứng dựa trên hệ vật liệu GaN/AlGaN :
par: Tiêu, Tín Nguyên
Publié: (2017) -
Effects of Insulator Dielectric Passivation Layer on the Breakdown Voltage of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor
par: Than, Hong Phuc, et autres
Publié: (2022) -
Khảo sát một số hiện tượng quang phi tuyến trong cấu trúc dị chất AlGaN/GaN :
par: Phạm, Thị Thúy Oanh
Publié: (2014)