Độ linh động điện tử trong cấu trúc dị chất đơn dựa trên hệ vật liệu GaN/ AlGaN :

Codi QR

Độ linh động điện tử trong cấu trúc dị chất đơn dựa trên hệ vật liệu GaN/ AlGaN : Luận văn Thạc sĩ. Ngành Vật lí Kĩ thuật

Đề tài nghiên cứu về cơ sở vật lý về độ linh động điện tử trong cấu trúc dị chất đơn trên hệ vật liệu GaN/ AlGaN; phân tích mô hình vật lý, xây dựng biểu thức giải tích cho các cơ chế tán xạ....

Descripció completa

Guardat en:

Dades bibliogràfiques
Autor principal:	Nguyễn, Thanh Tuấn
Format:	Llibre
Idioma:	Undetermined
Publicat:	Cần Thơ Trường Đại học Cần Thơ 2013
Matèries:	Vật liệu,Electrons,Materials,Điện tử
Etiquetes:	Afegir etiqueta Sense etiquetes, Sigues el primer a etiquetar aquest registre!

Thư viện lưu trữ:	Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ

Ítems similars

Phân bố khí điện tử giả hai chiều trong cấu trúc dị chất đơn GaN/AlGaN :
per: Đặng, Hồng Cám
Publicat: (2012)

Improved AlGaN/GaN HEMT Performance by Using Field Plate and Passivation Layer
per: Than, Hong Phuc, et al.
Publicat: (2022)

Effects of Insulator Dielectric Passivation Layer on the Breakdown Voltage of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor
per: Than, Hong Phuc, et al.
Publicat: (2022)

Khảo sát một số hiện tượng quang phi tuyến trong cấu trúc dị chất AlGaN/GaN :
per: Phạm, Thị Thúy Oanh
Publicat: (2014)

Độ linh động điện tử đa vùng con trong các cấu trúc giếng lượng tử bất đối xứng dựa trên hệ vật liệu GaN/AlGaN :
per: Tiêu, Tín Nguyên
Publicat: (2017)

Power GaN Devices
per: Meneghini, Matteo, et al.
Publicat: (2020)

AlGaN/GaN Metal-Insulator-Semiconductor Heterojunction Field-Effect Transistors Using BN and AlTiO High-k Gate Insulators
per: Nguyen Quy Tuan

RAMAN SPECTROSCOPY OF GaN/AlxGa1-xN/AlN/Si STRUCTURES
per: Nguyen, Linh Chi, et al.
Publicat: (2023)

High-Frequency GaN Electronic Devices
per: Fay, Patrick, et al.
Publicat: (2020)

Electrical characterizations of diodes fabricated on GaN and InGaN films by RF magnetron sputtering
per: Thi, Tran Anh Tuan
Publicat: (2015)

Photoreflectance measurement in Si3N4/Al0.21Ga0.79As/GaAs heterostructure /

Phân bố khí điện tử giả hai chiều trong cấu trúc dị chất đơn dựa trên hệ vật liệu AlxGa1 - xAs/GaAs :
per: Nguyễn, Văn Mạnh
Publicat: (2012)

Thăng giám mật độ không đồng nhất của các điện tích áp điện hai chiều trong cấu trúc dị tính A1GaN/GaN thực/
per: .

Mô hình Fang-Howard cho khí điện tử giả hai chiều trong giếng lượng tử A/GaN/GaN
per: Đỗ, Mười, et al.
Publicat: (2024)

Mô hình Fang-Howard cho khí điện tử giả hai chiều trong giếng lượng tử A/GaN/GaN
per: Đỗ, Mười, et al.
Publicat: (2019)

Nghiên cứu tính chất điện tử của cấu trúc siêu mạng dựa trên dãy dị chất ZnO/GaN kiểu Armchair bằng phương pháp phiếm hàm mật độ :
per: Huỳnh, Thị Mỹ Duyên
Publicat: (2017)

Nghiên cứu tính chất điện tử của cấu trúc siêu mạng dựa trên dãy dị chất ZnO/GaN kiểu Armchair bằng phương pháp phiếm hàm mật độ :
per: Trần, Thị Cẩm Thi
Publicat: (2017)

Nghiên cứu cấu trúc giếng lượng tử InGaN/GaN trong điôt phát sáng (LED) chế tạo bằng phương pháp MOCVD
per: Trần, Bình Tịnh
Publicat: (2011)

Nghiên cứu hiệu ứng Stark quang học trong chấm lượng tử InN/GaN
per: Phan, Thị Ái Nhị, et al.
Publicat: (2024)

Mô hình hóa lượng tử tự hợp các thiết bị có cấu trúc dị chất gốc GaN /
per: Vũ Ngọc Tước.

Khảo sát các cơ chế tán xạ giới hạn độ linh động điện tử hai chiều trong cấu trúc AIGaN/GaN theo nhiệt độ :
per: Hồ, An Giang
Publicat: (2014)

Electronic materials /
per: Kwok, H. L.
Publicat: (1997)

The dependence of an acoustomagnetoelectric field on the temperature in a cylindrical quantum wire AlGaAs/GaAs

Synthesis of novel nanostructured gamma-Al2O3 by pyrolysis of aluminiumoxyhydride-HalO /
per: Liu, Suwen.

Electronic materials : inside electronic devices.
Publicat: (1998)

Mô phỏng nghiên cứu siêu vật liệu dựa trên cấu trúc SSRR :
per: Phan, Tấn Tường
Publicat: (2017)

Electronic materials and processes handbook
per: Harper, Charles A.
Publicat: (2003)

Enhanced photoemission in dispersed Eu2O3 nanoparticles in amorphous Al2O3 /
per: Mohanty, P.

Nghiên cứu hiện tượng chuyển dời quang giữa các vùng con trong giếng lượng tử dựa trên vật liệu GaN :
per: Phạm, Thị Bích Thảo
Publicat: (2015)

Enhanced cathode-luminescence in a InxGa1-xN/ InyGa1-yN green light emitting diode structure using two-dimensional photonic crystals /
per: Lee, Jae Jin.

Bệnh cúm H5N1 ở gà và chim
per: Chu, Thị Thơm
Publicat: (2006)

Synthesis and characterization of MgAl2O4 spinel nanowires /

Optical limiting in the visible range : Molecular engineering around N4,N4-bis(4-methoxyphenyl)-N4,N4-diphenyl-4,4-diaminobiphenyl /

Quaternary Capped In(Ga)As/GaAs Quantum Dot Infrared Photodetectors. 1st ed. 2018
per: Adhikary, Sourav, et al.
Publicat: (2020)

SỰ THAY ĐỔI CẤU TRÚC CỦA VẬT LIỆU HAI CHIỀU GaN: LÀM RÕ TỪ NGHIÊN CỨU ĐỘNG LỰC HỌC PHÂN TỬ
per: Mai, Văn Dung, et al.
Publicat: (2025)

Materials for high-density electronic packaging and interconnection
Publicat: (1990)

Phân bố khí điện tử giả hai chiền trong cấu trúc dị chất đơn ZnO/MgZnO :
per: Đặng, Hoàng Phượng
Publicat: (2012)

Solder Joint Reliability Prediction for Multiple Environments
per: Perkins, Andrew E., et al.
Publicat: (2020)

A Guide to Lead-free Solders
per: Evans, John W., et al.
Publicat: (2020)

Springer Handbook of Nanomaterials
per: Vajtai, Robert
Publicat: (2020)