Độ linh động điện tử trong cấu trúc dị chất đơn dựa trên hệ vật liệu GaN/ AlGaN : Luận văn Thạc sĩ. Ngành Vật lí Kĩ thuật
Đề tài nghiên cứu về cơ sở vật lý về độ linh động điện tử trong cấu trúc dị chất đơn trên hệ vật liệu GaN/ AlGaN; phân tích mô hình vật lý, xây dựng biểu thức giải tích cho các cơ chế tán xạ....
Đã lưu trong:
| Hovedforfatter: | Nguyễn, Thanh Tuấn |
|---|---|
| Format: | Bog |
| Sprog: | Undetermined |
| Udgivet: |
Cần Thơ
Trường Đại học Cần Thơ
2013
|
| Fag: | |
| Tags: |
Tilføj Tag
Ingen Tags, Vær først til at tagge denne postø!
|
| Thư viện lưu trữ: | Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ |
|---|
Lignende værker
-
Phân bố khí điện tử giả hai chiều trong cấu trúc dị chất đơn GaN/AlGaN :
af: Đặng, Hồng Cám
Udgivet: (2012) -
Improved AlGaN/GaN HEMT Performance by Using Field Plate and Passivation Layer
af: Than, Hong Phuc, et al.
Udgivet: (2022) -
Effects of Insulator Dielectric Passivation Layer on the Breakdown Voltage of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor
af: Than, Hong Phuc, et al.
Udgivet: (2022) -
Khảo sát một số hiện tượng quang phi tuyến trong cấu trúc dị chất AlGaN/GaN :
af: Phạm, Thị Thúy Oanh
Udgivet: (2014) -
Độ linh động điện tử đa vùng con trong các cấu trúc giếng lượng tử bất đối xứng dựa trên hệ vật liệu GaN/AlGaN :
af: Tiêu, Tín Nguyên
Udgivet: (2017)