Khảo sát các cơ chế tán xạ giới hạn độ linh động điện tử hai chiều trong cấu trúc AIGaN/GaN theo nhiệt độ : Luận văn Thạc sĩ chuyên ngành: Vật lý lý thuyết và vật lý toán

Đề tài trình bày sơ lược về cấu trúc dị chất ALGaN/GaN, cơ sở vật lý về độ linh động, các cơ chế tán xạ và tán xạ phonon.

Đã lưu trong:
Chi tiết về thư mục
Tác giả chính: Hồ, An Giang
Tác giả của công ty: .
Định dạng: Sách
Ngôn ngữ:Undetermined
Được phát hành: Cần Thơ Trường Đại học Cần Thơ 2014
Những chủ đề:
Các nhãn: Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
Thư viện lưu trữ: Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ
LEADER 01110nam a2200229Ia 4500
001 CTU_193086
008 210402s9999 xx 000 0 und d
082 |a 539.758 
082 |b Gi106 
088 |a 60440103 
100 |a Hồ, An Giang 
110 |a . 
245 0 |a Khảo sát các cơ chế tán xạ giới hạn độ linh động điện tử hai chiều trong cấu trúc AIGaN/GaN theo nhiệt độ : 
245 0 |b Luận văn Thạc sĩ chuyên ngành: Vật lý lý thuyết và vật lý toán 
245 0 |c Hồ An Giang ; Nguyễn Thành Tiên (Cán bộ hướng dẫn) 
260 |a Cần Thơ 
260 |b Trường Đại học Cần Thơ 
260 |c 2014 
520 |a Đề tài trình bày sơ lược về cấu trúc dị chất ALGaN/GaN, cơ sở vật lý về độ linh động, các cơ chế tán xạ và tán xạ phonon. 
650 |a Scattering (Physics),Tán xạ (Vật Lý) 
904 |i Hải 
980 |a Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ