Khảo sát các cơ chế tán xạ giới hạn độ linh động điện tử hai chiều trong cấu trúc AIGaN/GaN theo nhiệt độ : Luận văn Thạc sĩ chuyên ngành: Vật lý lý thuyết và vật lý toán
Đề tài trình bày sơ lược về cấu trúc dị chất ALGaN/GaN, cơ sở vật lý về độ linh động, các cơ chế tán xạ và tán xạ phonon.
Đã lưu trong:
Tác giả chính: | |
---|---|
Tác giả của công ty: | |
Định dạng: | Sách |
Ngôn ngữ: | Undetermined |
Được phát hành: |
Cần Thơ
Trường Đại học Cần Thơ
2014
|
Những chủ đề: | |
Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
Thư viện lưu trữ: | Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ |
---|
LEADER | 01110nam a2200229Ia 4500 | ||
---|---|---|---|
001 | CTU_193086 | ||
008 | 210402s9999 xx 000 0 und d | ||
082 | |a 539.758 | ||
082 | |b Gi106 | ||
088 | |a 60440103 | ||
100 | |a Hồ, An Giang | ||
110 | |a . | ||
245 | 0 | |a Khảo sát các cơ chế tán xạ giới hạn độ linh động điện tử hai chiều trong cấu trúc AIGaN/GaN theo nhiệt độ : | |
245 | 0 | |b Luận văn Thạc sĩ chuyên ngành: Vật lý lý thuyết và vật lý toán | |
245 | 0 | |c Hồ An Giang ; Nguyễn Thành Tiên (Cán bộ hướng dẫn) | |
260 | |a Cần Thơ | ||
260 | |b Trường Đại học Cần Thơ | ||
260 | |c 2014 | ||
520 | |a Đề tài trình bày sơ lược về cấu trúc dị chất ALGaN/GaN, cơ sở vật lý về độ linh động, các cơ chế tán xạ và tán xạ phonon. | ||
650 | |a Scattering (Physics),Tán xạ (Vật Lý) | ||
904 | |i Hải | ||
980 | |a Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ |