Khảo sát các cơ chế tán xạ giới hạn độ linh động điện tử hai chiều trong cấu trúc AIGaN/GaN theo nhiệt độ : Luận văn Thạc sĩ chuyên ngành: Vật lý lý thuyết và vật lý toán
Đề tài trình bày sơ lược về cấu trúc dị chất ALGaN/GaN, cơ sở vật lý về độ linh động, các cơ chế tán xạ và tán xạ phonon.
Uloženo v:
| Hlavní autor: | Hồ, An Giang |
|---|---|
| Korporativní autor: | . |
| Médium: | Kniha |
| Jazyk: | Undetermined |
| Vydáno: |
Cần Thơ
Trường Đại học Cần Thơ
2014
|
| Témata: | |
| Tagy: |
Přidat tag
Žádné tagy, Buďte první, kdo otaguje tento záznam!
|
| Thư viện lưu trữ: | Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ |
|---|
Podobné jednotky
-
Tiết diện tán xạ Compton của gamma có năng lượng 63,5KeV - 2MeV bằng phương pháp mô phỏng MCNP :
Autor: Đinh, Thị Minh Hương
Vydáno: (2013) -
Ion Tracks in Apatite and Quartz
Autor: Schauries, Daniel
Vydáno: (2020) -
Helium Nano-bubble Formation in Tungsten
Autor: Thompson, Matt
Vydáno: (2020) -
Nghiên cứu phản ứng hạt nhân (p,n) trên các bia chì (Pb), Wolfram (W) và Uranium (U) với năng lượng bắn phá tương đối thấp ( từ 0.01GeV đến 0.05GeV) :
Autor: Trần, Thị Diễm
Vydáno: (2011) -
Neutron scattering with a triple-axis spectrometer :
Autor: Shirane, G.
Vydáno: (2002)