Khảo sát các cơ chế tán xạ giới hạn độ linh động điện tử hai chiều trong cấu trúc AIGaN/GaN theo nhiệt độ : Luận văn Thạc sĩ chuyên ngành: Vật lý lý thuyết và vật lý toán
Đề tài trình bày sơ lược về cấu trúc dị chất ALGaN/GaN, cơ sở vật lý về độ linh động, các cơ chế tán xạ và tán xạ phonon.
Bewaard in:
| Hoofdauteur: | Hồ, An Giang |
|---|---|
| Coauteur: | . |
| Formaat: | Boek |
| Taal: | Undetermined |
| Gepubliceerd in: |
Cần Thơ
Trường Đại học Cần Thơ
2014
|
| Onderwerpen: | |
| Tags: |
Voeg label toe
Geen labels, Wees de eerste die dit record labelt!
|
| Thư viện lưu trữ: | Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ |
|---|
Gelijkaardige items
-
Tiết diện tán xạ Compton của gamma có năng lượng 63,5KeV - 2MeV bằng phương pháp mô phỏng MCNP :
door: Đinh, Thị Minh Hương
Gepubliceerd in: (2013) -
Ion Tracks in Apatite and Quartz
door: Schauries, Daniel
Gepubliceerd in: (2020) -
Helium Nano-bubble Formation in Tungsten
door: Thompson, Matt
Gepubliceerd in: (2020) -
Nghiên cứu phản ứng hạt nhân (p,n) trên các bia chì (Pb), Wolfram (W) và Uranium (U) với năng lượng bắn phá tương đối thấp ( từ 0.01GeV đến 0.05GeV) :
door: Trần, Thị Diễm
Gepubliceerd in: (2011) -
Neutron scattering with a triple-axis spectrometer :
door: Shirane, G.
Gepubliceerd in: (2002)