Khảo sát các cơ chế tán xạ giới hạn độ linh động điện tử hai chiều trong cấu trúc AIGaN/GaN theo nhiệt độ : Luận văn Thạc sĩ chuyên ngành: Vật lý lý thuyết và vật lý toán
Đề tài trình bày sơ lược về cấu trúc dị chất ALGaN/GaN, cơ sở vật lý về độ linh động, các cơ chế tán xạ và tán xạ phonon.
Đã lưu trong:
| 主要作者: | Hồ, An Giang |
|---|---|
| 企業作者: | . |
| 格式: | 圖書 |
| 語言: | Undetermined |
| 出版: |
Cần Thơ
Trường Đại học Cần Thơ
2014
|
| 主題: | |
| 標簽: |
添加標簽
沒有標簽, 成為第一個標記此記錄!
|
| Thư viện lưu trữ: | Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ |
|---|
相似書籍
-
Tiết diện tán xạ Compton của gamma có năng lượng 63,5KeV - 2MeV bằng phương pháp mô phỏng MCNP :
由: Đinh, Thị Minh Hương
出版: (2013) -
Ion Tracks in Apatite and Quartz
由: Schauries, Daniel
出版: (2020) -
Helium Nano-bubble Formation in Tungsten
由: Thompson, Matt
出版: (2020) -
Nghiên cứu phản ứng hạt nhân (p,n) trên các bia chì (Pb), Wolfram (W) và Uranium (U) với năng lượng bắn phá tương đối thấp ( từ 0.01GeV đến 0.05GeV) :
由: Trần, Thị Diễm
出版: (2011) -
Neutron scattering with a triple-axis spectrometer :
由: Shirane, G.
出版: (2002)