Khảo sát các cơ chế tán xạ giới hạn độ linh động điện tử hai chiều trong cấu trúc AIGaN/GaN theo nhiệt độ : Luận văn Thạc sĩ chuyên ngành: Vật lý lý thuyết và vật lý toán
Đề tài trình bày sơ lược về cấu trúc dị chất ALGaN/GaN, cơ sở vật lý về độ linh động, các cơ chế tán xạ và tán xạ phonon.
Tallennettuna:
| Päätekijä: | Hồ, An Giang |
|---|---|
| Yhteisötekijä: | . |
| Aineistotyyppi: | Kirja |
| Kieli: | Undetermined |
| Julkaistu: |
Cần Thơ
Trường Đại học Cần Thơ
2014
|
| Aiheet: | |
| Tagit: |
Lisää tagi
Ei tageja, Lisää ensimmäinen tagi!
|
| Thư viện lưu trữ: | Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ |
|---|
Samankaltaisia teoksia
-
Tiết diện tán xạ Compton của gamma có năng lượng 63,5KeV - 2MeV bằng phương pháp mô phỏng MCNP :
Tekijä: Đinh, Thị Minh Hương
Julkaistu: (2013) -
Ion Tracks in Apatite and Quartz
Tekijä: Schauries, Daniel
Julkaistu: (2020) -
Helium Nano-bubble Formation in Tungsten
Tekijä: Thompson, Matt
Julkaistu: (2020) -
Nghiên cứu phản ứng hạt nhân (p,n) trên các bia chì (Pb), Wolfram (W) và Uranium (U) với năng lượng bắn phá tương đối thấp ( từ 0.01GeV đến 0.05GeV) :
Tekijä: Trần, Thị Diễm
Julkaistu: (2011) -
Neutron scattering with a triple-axis spectrometer :
Tekijä: Shirane, G.
Julkaistu: (2002)