Khảo sát các cơ chế tán xạ giới hạn độ linh động điện tử hai chiều trong cấu trúc AIGaN/GaN theo nhiệt độ : Luận văn Thạc sĩ chuyên ngành: Vật lý lý thuyết và vật lý toán
Đề tài trình bày sơ lược về cấu trúc dị chất ALGaN/GaN, cơ sở vật lý về độ linh động, các cơ chế tán xạ và tán xạ phonon.
Kaydedildi:
| Yazar: | Hồ, An Giang |
|---|---|
| Müşterek Yazar: | . |
| Materyal Türü: | Kitap |
| Dil: | Undetermined |
| Baskı/Yayın Bilgisi: |
Cần Thơ
Trường Đại học Cần Thơ
2014
|
| Konular: | |
| Etiketler: |
Etiketle
Etiket eklenmemiş, İlk siz ekleyin!
|
| Thư viện lưu trữ: | Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ |
|---|
Benzer Materyaller
-
Tiết diện tán xạ Compton của gamma có năng lượng 63,5KeV - 2MeV bằng phương pháp mô phỏng MCNP :
Yazar:: Đinh, Thị Minh Hương
Baskı/Yayın Bilgisi: (2013) -
Ion Tracks in Apatite and Quartz
Yazar:: Schauries, Daniel
Baskı/Yayın Bilgisi: (2020) -
Helium Nano-bubble Formation in Tungsten
Yazar:: Thompson, Matt
Baskı/Yayın Bilgisi: (2020) -
Nghiên cứu phản ứng hạt nhân (p,n) trên các bia chì (Pb), Wolfram (W) và Uranium (U) với năng lượng bắn phá tương đối thấp ( từ 0.01GeV đến 0.05GeV) :
Yazar:: Trần, Thị Diễm
Baskı/Yayın Bilgisi: (2011) -
Neutron scattering with a triple-axis spectrometer :
Yazar:: Shirane, G.
Baskı/Yayın Bilgisi: (2002)