Khảo sát các cơ chế tán xạ giới hạn độ linh động điện tử hai chiều trong cấu trúc AIGaN/GaN theo nhiệt độ : Luận văn Thạc sĩ chuyên ngành: Vật lý lý thuyết và vật lý toán
Đề tài trình bày sơ lược về cấu trúc dị chất ALGaN/GaN, cơ sở vật lý về độ linh động, các cơ chế tán xạ và tán xạ phonon.
Đã lưu trong:
Tác giả chính: | Hồ, An Giang |
---|---|
Tác giả của công ty: | . |
Định dạng: | Sách |
Ngôn ngữ: | Undetermined |
Được phát hành: |
Cần Thơ
Trường Đại học Cần Thơ
2014
|
Những chủ đề: | |
Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
Thư viện lưu trữ: | Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ |
---|
Những quyển sách tương tự
-
Tiết diện tán xạ Compton của gamma có năng lượng 63,5KeV - 2MeV bằng phương pháp mô phỏng MCNP :
Bỡi: Đinh, Thị Minh Hương
Được phát hành: (2013) -
Ion Tracks in Apatite and Quartz
Bỡi: Schauries, Daniel
Được phát hành: (2020) -
Helium Nano-bubble Formation in Tungsten
Bỡi: Thompson, Matt
Được phát hành: (2020) -
Nghiên cứu phản ứng hạt nhân (p,n) trên các bia chì (Pb), Wolfram (W) và Uranium (U) với năng lượng bắn phá tương đối thấp ( từ 0.01GeV đến 0.05GeV) :
Bỡi: Trần, Thị Diễm
Được phát hành: (2011) -
Neutron scattering with a triple-axis spectrometer :
Bỡi: Shirane, G.
Được phát hành: (2002)