Khảo sát các cơ chế tán xạ giới hạn độ linh động điện tử hai chiều trong cấu trúc AIGaN/GaN theo nhiệt độ : Luận văn Thạc sĩ chuyên ngành: Vật lý lý thuyết và vật lý toán
Đề tài trình bày sơ lược về cấu trúc dị chất ALGaN/GaN, cơ sở vật lý về độ linh động, các cơ chế tán xạ và tán xạ phonon.
Gardado en:
| Autor Principal: | Hồ, An Giang |
|---|---|
| Autor Corporativo: | . |
| Formato: | Libro |
| Idioma: | Undetermined |
| Publicado: |
Cần Thơ
Trường Đại học Cần Thơ
2014
|
| Những chủ đề: | |
| Các nhãn: |
Engadir etiqueta
Sen Etiquetas, Sexa o primeiro en etiquetar este rexistro!
|
| Thư viện lưu trữ: | Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ |
|---|
Títulos similares
-
Tiết diện tán xạ Compton của gamma có năng lượng 63,5KeV - 2MeV bằng phương pháp mô phỏng MCNP :
por: Đinh, Thị Minh Hương
Publicado: (2013) -
Ion Tracks in Apatite and Quartz
por: Schauries, Daniel
Publicado: (2020) -
Helium Nano-bubble Formation in Tungsten
por: Thompson, Matt
Publicado: (2020) -
Nghiên cứu phản ứng hạt nhân (p,n) trên các bia chì (Pb), Wolfram (W) và Uranium (U) với năng lượng bắn phá tương đối thấp ( từ 0.01GeV đến 0.05GeV) :
por: Trần, Thị Diễm
Publicado: (2011) -
Neutron scattering with a triple-axis spectrometer :
por: Shirane, G.
Publicado: (2002)