Khảo sát các cơ chế tán xạ giới hạn độ linh động điện tử hai chiều trong cấu trúc AIGaN/GaN theo nhiệt độ : Luận văn Thạc sĩ chuyên ngành: Vật lý lý thuyết và vật lý toán
Đề tài trình bày sơ lược về cấu trúc dị chất ALGaN/GaN, cơ sở vật lý về độ linh động, các cơ chế tán xạ và tán xạ phonon.
محفوظ في:
| المؤلف الرئيسي: | Hồ, An Giang |
|---|---|
| مؤلف مشترك: | . |
| التنسيق: | كتاب |
| اللغة: | Undetermined |
| منشور في: |
Cần Thơ
Trường Đại học Cần Thơ
2014
|
| الموضوعات: | |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
| Thư viện lưu trữ: | Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ |
|---|
مواد مشابهة
-
Tiết diện tán xạ Compton của gamma có năng lượng 63,5KeV - 2MeV bằng phương pháp mô phỏng MCNP :
بواسطة: Đinh, Thị Minh Hương
منشور في: (2013) -
Ion Tracks in Apatite and Quartz
بواسطة: Schauries, Daniel
منشور في: (2020) -
Helium Nano-bubble Formation in Tungsten
بواسطة: Thompson, Matt
منشور في: (2020) -
Nghiên cứu phản ứng hạt nhân (p,n) trên các bia chì (Pb), Wolfram (W) và Uranium (U) với năng lượng bắn phá tương đối thấp ( từ 0.01GeV đến 0.05GeV) :
بواسطة: Trần, Thị Diễm
منشور في: (2011) -
Neutron scattering with a triple-axis spectrometer :
بواسطة: Shirane, G.
منشور في: (2002)