Khảo sát các cơ chế tán xạ giới hạn độ linh động điện tử hai chiều trong cấu trúc AIGaN/GaN theo nhiệt độ : Luận văn Thạc sĩ chuyên ngành: Vật lý lý thuyết và vật lý toán
Đề tài trình bày sơ lược về cấu trúc dị chất ALGaN/GaN, cơ sở vật lý về độ linh động, các cơ chế tán xạ và tán xạ phonon.
שמור ב:
| מחבר ראשי: | Hồ, An Giang |
|---|---|
| מחבר תאגידי: | . |
| פורמט: | ספר |
| שפה: | Undetermined |
| יצא לאור: |
Cần Thơ
Trường Đại học Cần Thơ
2014
|
| נושאים: | |
| תגים: |
הוספת תג
אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!
|
| Thư viện lưu trữ: | Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ |
|---|
פריטים דומים
-
Tiết diện tán xạ Compton của gamma có năng lượng 63,5KeV - 2MeV bằng phương pháp mô phỏng MCNP :
מאת: Đinh, Thị Minh Hương
יצא לאור: (2013) -
Ion Tracks in Apatite and Quartz
מאת: Schauries, Daniel
יצא לאור: (2020) -
Helium Nano-bubble Formation in Tungsten
מאת: Thompson, Matt
יצא לאור: (2020) -
Nghiên cứu phản ứng hạt nhân (p,n) trên các bia chì (Pb), Wolfram (W) và Uranium (U) với năng lượng bắn phá tương đối thấp ( từ 0.01GeV đến 0.05GeV) :
מאת: Trần, Thị Diễm
יצא לאור: (2011) -
Neutron scattering with a triple-axis spectrometer :
מאת: Shirane, G.
יצא לאור: (2002)