Khảo sát cơ chế hấp thụ bề mặt TiO2 bằng phương pháp phiếm hàm mật độ dựa trên liên kết mạnh : Luận văn thạc sĩ vật lý. Chuyên ngành Vật lý lý thuyết và Vật lý toán

Đề tài sử dụng phương pháp phiếm hàm mật độ dựa trên liên kết mạnh để mô tả cấu trúc tinh thể bề mặt cũng như tính chất điện tử của vật liệu.

Đã lưu trong:
書目詳細資料
主要作者: Viên, Tuấn Anh
格式: 圖書
語言:Undetermined
出版: Cần Thơ Trường Đại học Cần Thơ 2015
主題:
標簽: 添加標簽
沒有標簽, 成為第一個標記此記錄!
Thư viện lưu trữ: Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ
LEADER 01129nam a2200217Ia 4500
001 CTU_201791
008 210402s9999 xx 000 0 und d
082 |a 621.38152 
082 |b A107 
088 |a 60440103 
100 |a Viên, Tuấn Anh 
245 0 |a Khảo sát cơ chế hấp thụ bề mặt TiO2 bằng phương pháp phiếm hàm mật độ dựa trên liên kết mạnh : 
245 0 |b Luận văn thạc sĩ vật lý. Chuyên ngành Vật lý lý thuyết và Vật lý toán 
245 0 |c Viên Tuấn Anh ; Huỳnh Anh Huy (Cán bộ hướng dẫn) 
260 |a Cần Thơ 
260 |b Trường Đại học Cần Thơ 
260 |c 2015 
520 |a Đề tài sử dụng phương pháp phiếm hàm mật độ dựa trên liên kết mạnh để mô tả cấu trúc tinh thể bề mặt cũng như tính chất điện tử của vật liệu. 
650 |a Semiconductors,Chất bán dẫn 
904 |i Khoa 
980 |a Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ