Khảo sát cơ chế hấp thụ bề mặt TiO2 bằng phương pháp phiếm hàm mật độ dựa trên liên kết mạnh : Luận văn thạc sĩ vật lý. Chuyên ngành Vật lý lý thuyết và Vật lý toán
Đề tài sử dụng phương pháp phiếm hàm mật độ dựa trên liên kết mạnh để mô tả cấu trúc tinh thể bề mặt cũng như tính chất điện tử của vật liệu.
Đã lưu trong:
Tác giả chính: | |
---|---|
Định dạng: | Sách |
Ngôn ngữ: | Undetermined |
Được phát hành: |
Cần Thơ
Trường Đại học Cần Thơ
2015
|
Những chủ đề: | |
Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
Thư viện lưu trữ: | Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ |
---|
LEADER | 01129nam a2200217Ia 4500 | ||
---|---|---|---|
001 | CTU_201791 | ||
008 | 210402s9999 xx 000 0 und d | ||
082 | |a 621.38152 | ||
082 | |b A107 | ||
088 | |a 60440103 | ||
100 | |a Viên, Tuấn Anh | ||
245 | 0 | |a Khảo sát cơ chế hấp thụ bề mặt TiO2 bằng phương pháp phiếm hàm mật độ dựa trên liên kết mạnh : | |
245 | 0 | |b Luận văn thạc sĩ vật lý. Chuyên ngành Vật lý lý thuyết và Vật lý toán | |
245 | 0 | |c Viên Tuấn Anh ; Huỳnh Anh Huy (Cán bộ hướng dẫn) | |
260 | |a Cần Thơ | ||
260 | |b Trường Đại học Cần Thơ | ||
260 | |c 2015 | ||
520 | |a Đề tài sử dụng phương pháp phiếm hàm mật độ dựa trên liên kết mạnh để mô tả cấu trúc tinh thể bề mặt cũng như tính chất điện tử của vật liệu. | ||
650 | |a Semiconductors,Chất bán dẫn | ||
904 | |i Khoa | ||
980 | |a Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ |