Khảo sát cơ chế hấp thụ bề mặt TiO2 bằng phương pháp phiếm hàm mật độ dựa trên liên kết mạnh : Luận văn thạc sĩ vật lý. Chuyên ngành Vật lý lý thuyết và Vật lý toán
Đề tài sử dụng phương pháp phiếm hàm mật độ dựa trên liên kết mạnh để mô tả cấu trúc tinh thể bề mặt cũng như tính chất điện tử của vật liệu.
Salvato in:
| Autore principale: | Viên, Tuấn Anh |
|---|---|
| Natura: | Libro |
| Lingua: | Undetermined |
| Pubblicazione: |
Cần Thơ
Trường Đại học Cần Thơ
2015
|
| Soggetti: | |
| Tags: |
Aggiungi Tag
Nessun Tag, puoi essere il primo ad aggiungerne! !
|
| Thư viện lưu trữ: | Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ |
|---|
Documenti analoghi
-
Nghiên cứu cấu tạo bề mặt TiO2 bằng phương pháp phiếm hàm mật độ dựa trên liên kết mạnh :
di: Nguyễn, Vy Khương
Pubblicazione: (2014) -
Khảo sát cơ chế hấp thụ bề mặt ZnO bằng phương pháp phiếm hàm mật độ dựa trên liên kết mạnh :
di: Nguyễn, Thị Hồng Loan
Pubblicazione: (2015) -
Nghiên cứu cấu tạo dây Nanô TiO2 bằng phương pháp phiếm hàm mật độ dựa trên liên kết mạnh :
di: Huỳnh, Thế Anh
Pubblicazione: (2014) -
Nghiên cứu cấu tạo bề mặt ZnO bằng phương pháp phiếm hàm mật độ dựa trên liên kết mạnh :
di: Bùi, Thị Nguyệt Thu
Pubblicazione: (2014) -
Nghiên cứu sự sai hỏng của tinh thể Silicene bằng phương pháp phiếm hàm mật độ liên kết mạnh :
di: Nguyễn, Thị Thùy Dương
Pubblicazione: (2018)