Nghiên cứu cấu trúc điện tử trong lớp tiếp giáp của vật liệu TiO2 bằng phương pháp phiếm hàm mật độ dựa trên liên kết mạnh : Luận văn Thạc sĩ Vật lý. Chuyên ngành Vật lý lý thuyết và Vật lý toán

Mô tả chi tiết cấu trúc của lớp tiếp giáp dị chất, từ đó tính toán cấu trúc điện tử cho thấy sự dịch chuyển đối nghịch giữa electron và lỗ trống dẫn đến việc nâng cao hiệu suất xúc tác quang...

詳細記述

保存先:
書誌詳細
第一著者: Ca, Nguyễn Anh Khoa
フォーマット: 図書
言語:Undetermined
出版事項: Cần Thơ Trường Đại học Cần Thơ 2016
主題:
タグ: タグ追加
タグなし, このレコードへの初めてのタグを付けませんか!
Thư viện lưu trữ: Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ
その他の書誌記述
要約:Mô tả chi tiết cấu trúc của lớp tiếp giáp dị chất, từ đó tính toán cấu trúc điện tử cho thấy sự dịch chuyển đối nghịch giữa electron và lỗ trống dẫn đến việc nâng cao hiệu suất xúc tác quang