Nghiên cứu cấu trúc điện tử trong lớp tiếp giáp của vật liệu TiO2 bằng phương pháp phiếm hàm mật độ dựa trên liên kết mạnh : Luận văn Thạc sĩ Vật lý. Chuyên ngành Vật lý lý thuyết và Vật lý toán
Mô tả chi tiết cấu trúc của lớp tiếp giáp dị chất, từ đó tính toán cấu trúc điện tử cho thấy sự dịch chuyển đối nghịch giữa electron và lỗ trống dẫn đến việc nâng cao hiệu suất xúc tác quang...
保存先:
| 第一著者: | |
|---|---|
| フォーマット: | 図書 |
| 言語: | Undetermined |
| 出版事項: |
Cần Thơ
Trường Đại học Cần Thơ
2016
|
| 主題: | |
| タグ: |
タグ追加
タグなし, このレコードへの初めてのタグを付けませんか!
|
| Thư viện lưu trữ: | Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ |
|---|
| 要約: | Mô tả chi tiết cấu trúc của lớp tiếp giáp dị chất, từ đó tính toán cấu trúc điện tử cho thấy sự dịch chuyển đối nghịch giữa electron và lỗ trống dẫn đến việc nâng cao hiệu suất xúc tác quang |
|---|