Nghiên cứu cấu trúc điện tử trong lớp tiếp giáp của vật liệu TiO2 bằng phương pháp phiếm hàm mật độ dựa trên liên kết mạnh : Luận văn Thạc sĩ Vật lý. Chuyên ngành Vật lý lý thuyết và Vật lý toán
Mô tả chi tiết cấu trúc của lớp tiếp giáp dị chất, từ đó tính toán cấu trúc điện tử cho thấy sự dịch chuyển đối nghịch giữa electron và lỗ trống dẫn đến việc nâng cao hiệu suất xúc tác quang...
Đã lưu trong:
Tác giả chính: | |
---|---|
Định dạng: | Sách |
Ngôn ngữ: | Undetermined |
Được phát hành: |
Cần Thơ
Trường Đại học Cần Thơ
2016
|
Những chủ đề: | |
Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
Thư viện lưu trữ: | Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ |
---|
LEADER | 01277nam a2200217Ia 4500 | ||
---|---|---|---|
001 | CTU_216580 | ||
008 | 210402s9999 xx 000 0 und d | ||
082 | |a 530.411 | ||
082 | |b Kh401 | ||
088 | |a 60440103 | ||
100 | |a Ca, Nguyễn Anh Khoa | ||
245 | 0 | |a Nghiên cứu cấu trúc điện tử trong lớp tiếp giáp của vật liệu TiO2 bằng phương pháp phiếm hàm mật độ dựa trên liên kết mạnh : | |
245 | 0 | |b Luận văn Thạc sĩ Vật lý. Chuyên ngành Vật lý lý thuyết và Vật lý toán | |
245 | 0 | |c Ca Nguyễn Anh Khoa ; Huỳnh Anh Huy (Người hướng dẫn khoa học) | |
260 | |a Cần Thơ | ||
260 | |b Trường Đại học Cần Thơ | ||
260 | |c 2016 | ||
520 | |a Mô tả chi tiết cấu trúc của lớp tiếp giáp dị chất, từ đó tính toán cấu trúc điện tử cho thấy sự dịch chuyển đối nghịch giữa electron và lỗ trống dẫn đến việc nâng cao hiệu suất xúc tác quang | ||
650 | |a Cấu trúc điện tử,Electronic structure | ||
904 | |i Sang,Hải | ||
980 | |a Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ |