Nghiên cứu cấu trúc điện tử trong lớp tiếp giáp của vật liệu TiO2 bằng phương pháp phiếm hàm mật độ dựa trên liên kết mạnh : Luận văn Thạc sĩ Vật lý. Chuyên ngành Vật lý lý thuyết và Vật lý toán

Mô tả chi tiết cấu trúc của lớp tiếp giáp dị chất, từ đó tính toán cấu trúc điện tử cho thấy sự dịch chuyển đối nghịch giữa electron và lỗ trống dẫn đến việc nâng cao hiệu suất xúc tác quang...

Mô tả đầy đủ

Đã lưu trong:
Chi tiết về thư mục
Tác giả chính: Ca, Nguyễn Anh Khoa
Định dạng: Sách
Ngôn ngữ:Undetermined
Được phát hành: Cần Thơ Trường Đại học Cần Thơ 2016
Những chủ đề:
Các nhãn: Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
Thư viện lưu trữ: Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ
LEADER 01277nam a2200217Ia 4500
001 CTU_216580
008 210402s9999 xx 000 0 und d
082 |a 530.411 
082 |b Kh401 
088 |a 60440103 
100 |a Ca, Nguyễn Anh Khoa 
245 0 |a Nghiên cứu cấu trúc điện tử trong lớp tiếp giáp của vật liệu TiO2 bằng phương pháp phiếm hàm mật độ dựa trên liên kết mạnh : 
245 0 |b Luận văn Thạc sĩ Vật lý. Chuyên ngành Vật lý lý thuyết và Vật lý toán 
245 0 |c Ca Nguyễn Anh Khoa ; Huỳnh Anh Huy (Người hướng dẫn khoa học) 
260 |a Cần Thơ 
260 |b Trường Đại học Cần Thơ 
260 |c 2016 
520 |a Mô tả chi tiết cấu trúc của lớp tiếp giáp dị chất, từ đó tính toán cấu trúc điện tử cho thấy sự dịch chuyển đối nghịch giữa electron và lỗ trống dẫn đến việc nâng cao hiệu suất xúc tác quang 
650 |a Cấu trúc điện tử,Electronic structure 
904 |i Sang,Hải 
980 |a Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ