Nghiên cứu cấu trúc điện tử trong lớp tiếp giáp của vật liệu TiO2 bằng phương pháp phiếm hàm mật độ dựa trên liên kết mạnh : Luận văn Thạc sĩ Vật lý. Chuyên ngành Vật lý lý thuyết và Vật lý toán
Mô tả chi tiết cấu trúc của lớp tiếp giáp dị chất, từ đó tính toán cấu trúc điện tử cho thấy sự dịch chuyển đối nghịch giữa electron và lỗ trống dẫn đến việc nâng cao hiệu suất xúc tác quang...
Αποθηκεύτηκε σε:
| Κύριος συγγραφέας: | Ca, Nguyễn Anh Khoa |
|---|---|
| Μορφή: | Βιβλίο |
| Γλώσσα: | Undetermined |
| Έκδοση: |
Cần Thơ
Trường Đại học Cần Thơ
2016
|
| Θέματα: | |
| Ετικέτες: |
Προσθήκη ετικέτας
Δεν υπάρχουν, Καταχωρήστε ετικέτα πρώτοι!
|
| Thư viện lưu trữ: | Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ |
|---|
Παρόμοια τεκμήρια
-
Nghiên cứu cấu trúc điện tử của dãy Nano Graphen bằng phương pháp phiếm hàm mật độ dựa trên liên kết mạnh :
ανά: Trịnh, Cẩm Hằng
Έκδοση: (2016) -
Cấu trúc vùng và tính chất điện tử trong Buckling silicene Nanoribbons :
ανά: Phạm, Nguyễn Hữu Hạnh
Έκδοση: (2020) -
Nghiên cứu cấu trúc hạt Nano TiO2 bằng phương pháp phiếm hàm mật độ dựa trên liên kết mạnh :
ανά: Phan, Thanh Hùng
Έκδοση: (2016) -
Nghên cứu cấu trúc hạt Nano TiO2 bằng phương pháp phiếm hàm mật độ dựa trên liên kết mạnh
ανά: Phan, Thanh Hùng
Έκδοση: (2016) -
Nghiên cứu cấu tạo bề mặt TiO2 bằng phương pháp phiếm hàm mật độ dựa trên liên kết mạnh :
ανά: Nguyễn, Vy Khương
Έκδοση: (2014)