Nghiên cứu cấu trúc điện tử trong lớp tiếp giáp của vật liệu TiO2 bằng phương pháp phiếm hàm mật độ dựa trên liên kết mạnh : Luận văn Thạc sĩ Vật lý. Chuyên ngành Vật lý lý thuyết và Vật lý toán
Mô tả chi tiết cấu trúc của lớp tiếp giáp dị chất, từ đó tính toán cấu trúc điện tử cho thấy sự dịch chuyển đối nghịch giữa electron và lỗ trống dẫn đến việc nâng cao hiệu suất xúc tác quang...
Salvato in:
| Autore principale: | Ca, Nguyễn Anh Khoa |
|---|---|
| Natura: | Libro |
| Lingua: | Undetermined |
| Pubblicazione: |
Cần Thơ
Trường Đại học Cần Thơ
2016
|
| Soggetti: | |
| Tags: |
Aggiungi Tag
Nessun Tag, puoi essere il primo ad aggiungerne! !
|
| Thư viện lưu trữ: | Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ |
|---|
Documenti analoghi
-
Nghiên cứu cấu trúc điện tử của dãy Nano Graphen bằng phương pháp phiếm hàm mật độ dựa trên liên kết mạnh :
di: Trịnh, Cẩm Hằng
Pubblicazione: (2016) -
Cấu trúc vùng và tính chất điện tử trong Buckling silicene Nanoribbons :
di: Phạm, Nguyễn Hữu Hạnh
Pubblicazione: (2020) -
Nghiên cứu cấu trúc hạt Nano TiO2 bằng phương pháp phiếm hàm mật độ dựa trên liên kết mạnh :
di: Phan, Thanh Hùng
Pubblicazione: (2016) -
Nghên cứu cấu trúc hạt Nano TiO2 bằng phương pháp phiếm hàm mật độ dựa trên liên kết mạnh
di: Phan, Thanh Hùng
Pubblicazione: (2016) -
Nghiên cứu cấu tạo bề mặt TiO2 bằng phương pháp phiếm hàm mật độ dựa trên liên kết mạnh :
di: Nguyễn, Vy Khương
Pubblicazione: (2014)