Nghiên cứu cấu trúc điện tử trong lớp tiếp giáp của vật liệu TiO2 bằng phương pháp phiếm hàm mật độ dựa trên liên kết mạnh : Luận văn Thạc sĩ Vật lý. Chuyên ngành Vật lý lý thuyết và Vật lý toán
Mô tả chi tiết cấu trúc của lớp tiếp giáp dị chất, từ đó tính toán cấu trúc điện tử cho thấy sự dịch chuyển đối nghịch giữa electron và lỗ trống dẫn đến việc nâng cao hiệu suất xúc tác quang...
Đã lưu trong:
Tác giả chính: | Ca, Nguyễn Anh Khoa |
---|---|
Định dạng: | Sách |
Ngôn ngữ: | Undetermined |
Được phát hành: |
Cần Thơ
Trường Đại học Cần Thơ
2016
|
Những chủ đề: | |
Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
Thư viện lưu trữ: | Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ |
---|
Những quyển sách tương tự
-
Nghiên cứu cấu trúc điện tử của dãy Nano Graphen bằng phương pháp phiếm hàm mật độ dựa trên liên kết mạnh :
Bỡi: Trịnh, Cẩm Hằng
Được phát hành: (2016) -
Nghiên cứu cấu trúc hạt Nano TiO2 bằng phương pháp phiếm hàm mật độ dựa trên liên kết mạnh :
Bỡi: Phan, Thanh Hùng
Được phát hành: (2016) -
Nghên cứu cấu trúc hạt Nano TiO2 bằng phương pháp phiếm hàm mật độ dựa trên liên kết mạnh
Bỡi: Phan, Thanh Hùng
Được phát hành: (2016) -
Nghiên cứu cấu tạo bề mặt TiO2 bằng phương pháp phiếm hàm mật độ dựa trên liên kết mạnh :
Bỡi: Nguyễn, Vy Khương
Được phát hành: (2014) -
Nghiên cứu cấu tạo dây Nanô TiO2 bằng phương pháp phiếm hàm mật độ dựa trên liên kết mạnh :
Bỡi: Huỳnh, Thế Anh
Được phát hành: (2014)