Hiện tượng chuyển dời quang điện tử trong các cấu trúc giếng lượng tử dựa trên hệ vật liệu ZnO/MgZnO : Luận văn Thạc sĩ Vật lý. Chuyên ngành Vật lý lý thuyết và Vật lý toán
Nghiên cứu phân bố của điện tử hai chiều và khảo sát hệ số hấp thụ quang tuyến tính giữa các vùng con thứ nhất trong giếng lượng tử bán parabol MgZnO/ZnO.
Đã lưu trong:
Tác giả chính: | Nguyễn, Nhựt Tuấn Hùng |
---|---|
Định dạng: | Sách |
Ngôn ngữ: | Undetermined |
Được phát hành: |
Cần Thơ
Trường Đại học Cần Thơ
2017
|
Những chủ đề: | |
Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
Thư viện lưu trữ: | Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ |
---|
Những quyển sách tương tự
-
Phân bố khí điện tử giả hai chiền trong cấu trúc dị chất đơn ZnO/MgZnO :
Bỡi: Đặng, Hoàng Phượng
Được phát hành: (2012) -
Mô phỏng transistor hiệu ứng trường dây nano ZnO :
Bỡi: Trần, Hồng Nghĩa
Được phát hành: (2013) -
Nghiên cứu tính chất điện tử của cấu trúc siêu mạng dựa trên dãy dị chất ZnO/GaN kiểu Armchair bằng phương pháp phiếm hàm mật độ :
Bỡi: Huỳnh, Thị Mỹ Duyên
Được phát hành: (2017) -
Nghiên cứu tính chất điện tử của cấu trúc siêu mạng dựa trên dãy dị chất ZnO/GaN kiểu Armchair bằng phương pháp phiếm hàm mật độ :
Bỡi: Trần, Thị Cẩm Thi
Được phát hành: (2017) -
Nghiên cứu cấu tạo bề mặt ZnO bằng phương pháp phiếm hàm mật độ dựa trên liên kết mạnh :
Bỡi: Bùi, Thị Nguyệt Thu
Được phát hành: (2014)