Độ linh động điện tử đa vùng con trong các cấu trúc giếng lượng tử bất đối xứng dựa trên hệ vật liệu GaN/AlGaN : Luận văn Thạc sĩ Vật lý. Chuyên ngành Vật lý lý thuyết và Vật lý toán
Nghiên cứu cơ sở vật lý về độ linh động, phân bố điện tử trong cấu trúc giếng lượng tử bất đối xứng, khảo sát độ linh động điện tử.
محفوظ في:
| المؤلف الرئيسي: | Tiêu, Tín Nguyên |
|---|---|
| التنسيق: | كتاب |
| اللغة: | Undetermined |
| منشور في: |
Cần Thơ
Trường Đại học Cần Thơ
2017
|
| الموضوعات: | |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
| Thư viện lưu trữ: | Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ |
|---|
مواد مشابهة
-
Khảo sát một số hiện tượng quang phi tuyến trong cấu trúc dị chất AlGaN/GaN :
بواسطة: Phạm, Thị Thúy Oanh
منشور في: (2014) -
Improved AlGaN/GaN HEMT Performance by Using Field Plate and Passivation Layer
بواسطة: Than, Hong Phuc, وآخرون
منشور في: (2022) -
Độ linh động điện tử trong cấu trúc dị chất đơn dựa trên hệ vật liệu GaN/ AlGaN :
بواسطة: Nguyễn, Thanh Tuấn
منشور في: (2013) -
Effects of Insulator Dielectric Passivation Layer on the Breakdown Voltage of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor
بواسطة: Than, Hong Phuc, وآخرون
منشور في: (2022) -
Phân bố khí điện tử giả hai chiều trong cấu trúc dị chất đơn GaN/AlGaN :
بواسطة: Đặng, Hồng Cám
منشور في: (2012)