Độ linh động điện tử đa vùng con trong các cấu trúc giếng lượng tử bất đối xứng dựa trên hệ vật liệu GaN/AlGaN : Luận văn Thạc sĩ Vật lý. Chuyên ngành Vật lý lý thuyết và Vật lý toán
Nghiên cứu cơ sở vật lý về độ linh động, phân bố điện tử trong cấu trúc giếng lượng tử bất đối xứng, khảo sát độ linh động điện tử.
Shranjeno v:
| Glavni avtor: | Tiêu, Tín Nguyên |
|---|---|
| Format: | Knjiga |
| Jezik: | Undetermined |
| Izdano: |
Cần Thơ
Trường Đại học Cần Thơ
2017
|
| Teme: | |
| Oznake: |
Označite
Brez oznak, prvi označite!
|
| Thư viện lưu trữ: | Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ |
|---|
Podobne knjige/članki
-
Khảo sát một số hiện tượng quang phi tuyến trong cấu trúc dị chất AlGaN/GaN :
od: Phạm, Thị Thúy Oanh
Izdano: (2014) -
Improved AlGaN/GaN HEMT Performance by Using Field Plate and Passivation Layer
od: Than, Hong Phuc, et al.
Izdano: (2022) -
Độ linh động điện tử trong cấu trúc dị chất đơn dựa trên hệ vật liệu GaN/ AlGaN :
od: Nguyễn, Thanh Tuấn
Izdano: (2013) -
Effects of Insulator Dielectric Passivation Layer on the Breakdown Voltage of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor
od: Than, Hong Phuc, et al.
Izdano: (2022) -
Phân bố khí điện tử giả hai chiều trong cấu trúc dị chất đơn GaN/AlGaN :
od: Đặng, Hồng Cám
Izdano: (2012)