Độ linh động điện tử đa vùng con trong các cấu trúc giếng lượng tử bất đối xứng dựa trên hệ vật liệu GaN/AlGaN : Luận văn Thạc sĩ Vật lý. Chuyên ngành Vật lý lý thuyết và Vật lý toán
Nghiên cứu cơ sở vật lý về độ linh động, phân bố điện tử trong cấu trúc giếng lượng tử bất đối xứng, khảo sát độ linh động điện tử.
Bewaard in:
| Hoofdauteur: | Tiêu, Tín Nguyên |
|---|---|
| Formaat: | Boek |
| Taal: | Undetermined |
| Gepubliceerd in: |
Cần Thơ
Trường Đại học Cần Thơ
2017
|
| Onderwerpen: | |
| Tags: |
Voeg label toe
Geen labels, Wees de eerste die dit record labelt!
|
| Thư viện lưu trữ: | Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ |
|---|
Gelijkaardige items
-
Khảo sát một số hiện tượng quang phi tuyến trong cấu trúc dị chất AlGaN/GaN :
door: Phạm, Thị Thúy Oanh
Gepubliceerd in: (2014) -
Improved AlGaN/GaN HEMT Performance by Using Field Plate and Passivation Layer
door: Than, Hong Phuc, et al.
Gepubliceerd in: (2022) -
Độ linh động điện tử trong cấu trúc dị chất đơn dựa trên hệ vật liệu GaN/ AlGaN :
door: Nguyễn, Thanh Tuấn
Gepubliceerd in: (2013) -
Effects of Insulator Dielectric Passivation Layer on the Breakdown Voltage of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor
door: Than, Hong Phuc, et al.
Gepubliceerd in: (2022) -
Phân bố khí điện tử giả hai chiều trong cấu trúc dị chất đơn GaN/AlGaN :
door: Đặng, Hồng Cám
Gepubliceerd in: (2012)