Độ linh động điện tử đa vùng con trong các cấu trúc giếng lượng tử bất đối xứng dựa trên hệ vật liệu GaN/AlGaN : Luận văn Thạc sĩ Vật lý. Chuyên ngành Vật lý lý thuyết và Vật lý toán
Nghiên cứu cơ sở vật lý về độ linh động, phân bố điện tử trong cấu trúc giếng lượng tử bất đối xứng, khảo sát độ linh động điện tử.
Na minha lista:
| Autor principal: | Tiêu, Tín Nguyên |
|---|---|
| Formato: | Livro |
| Idioma: | Undetermined |
| Publicado em: |
Cần Thơ
Trường Đại học Cần Thơ
2017
|
| Assuntos: | |
| Tags: |
Adicionar Tag
Sem tags, seja o primeiro a adicionar uma tag!
|
| Thư viện lưu trữ: | Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ |
|---|
Registros relacionados
-
Khảo sát một số hiện tượng quang phi tuyến trong cấu trúc dị chất AlGaN/GaN :
por: Phạm, Thị Thúy Oanh
Publicado em: (2014) -
Improved AlGaN/GaN HEMT Performance by Using Field Plate and Passivation Layer
por: Than, Hong Phuc, et al.
Publicado em: (2022) -
Độ linh động điện tử trong cấu trúc dị chất đơn dựa trên hệ vật liệu GaN/ AlGaN :
por: Nguyễn, Thanh Tuấn
Publicado em: (2013) -
Effects of Insulator Dielectric Passivation Layer on the Breakdown Voltage of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor
por: Than, Hong Phuc, et al.
Publicado em: (2022) -
Phân bố khí điện tử giả hai chiều trong cấu trúc dị chất đơn GaN/AlGaN :
por: Đặng, Hồng Cám
Publicado em: (2012)