Độ linh động điện tử đa vùng con trong các cấu trúc giếng lượng tử bất đối xứng dựa trên hệ vật liệu GaN/AlGaN : Luận văn Thạc sĩ Vật lý. Chuyên ngành Vật lý lý thuyết và Vật lý toán
Nghiên cứu cơ sở vật lý về độ linh động, phân bố điện tử trong cấu trúc giếng lượng tử bất đối xứng, khảo sát độ linh động điện tử.
Saved in:
| Main Author: | Tiêu, Tín Nguyên |
|---|---|
| Format: | Book |
| Language: | Undetermined |
| Published: |
Cần Thơ
Trường Đại học Cần Thơ
2017
|
| Subjects: | |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Institutions: | Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ |
|---|
Similar Items
-
Khảo sát một số hiện tượng quang phi tuyến trong cấu trúc dị chất AlGaN/GaN :
by: Phạm, Thị Thúy Oanh
Published: (2014) -
Improved AlGaN/GaN HEMT Performance by Using Field Plate and Passivation Layer
by: Than, Hong Phuc, et al.
Published: (2022) -
Độ linh động điện tử trong cấu trúc dị chất đơn dựa trên hệ vật liệu GaN/ AlGaN :
by: Nguyễn, Thanh Tuấn
Published: (2013) -
Effects of Insulator Dielectric Passivation Layer on the Breakdown Voltage of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor
by: Than, Hong Phuc, et al.
Published: (2022) -
Phân bố khí điện tử giả hai chiều trong cấu trúc dị chất đơn GaN/AlGaN :
by: Đặng, Hồng Cám
Published: (2012)