Nghiên cứu tính chất điện tử vật liệu Graphene hai lớp bằng phương pháp phiếm hàm mật độ dựa trên liên kết mạnh : Luận văn Thạc sĩ Vật lý. Chuyên ngành Vật lý lý thuyết và Vật lý toán
Khảo sát cấu trúc vùng năng lượng và mật độ trạng thái của bGNRs với hai biên zigzag và armchair theo hai kiểu xếp Â-stacking và AB-stacking.
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | Nguyễn, Phương Dung |
---|---|
التنسيق: | كتاب |
اللغة: | Undetermined |
منشور في: |
Cần Thơ
Trường Đại học Cần Thơ
2017
|
الموضوعات: | |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
Thư viện lưu trữ: | Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ |
---|
مواد مشابهة
-
Nghiên cứu cấu trúc Silicene bằng phương pháp phiếm hàm mật độ dựa trên liên kết mạnh :
بواسطة: Nguyễn, Thị Quế Trinh
منشور في: (2017) -
Nghiên cứu cấu trúc điện tử của dãy penta-silicene đơn lớp bằng phương pháp phiếm hàm mật độ dựa trên liên kết mạnh :
بواسطة: Lê, Thị Thúy My
منشور في: (2019) -
Nghiên cứu tính chất màng ZnO chức năng hóa bằng phương pháp phiếm hàm mật độ dựa trên liên kết mạnh :
بواسطة: Trần, Hà Duy
منشور في: (2017) -
Ảnh hưởng của điện trường lên tính chất quang của graphene hai lớp :
بواسطة: Trần, Minh Trung
منشور في: (2019) -
Phát hiện sự lai giống của DNA dựa trên vật liệu graphene đơn lớp bằng phương pháp đo hiệu ứng Hall :
بواسطة: Phan, Thị Kim Loan
منشور في: (2017)