Nghiên cứu tính chất điện tử của cấu trúc siêu mạng dựa trên dãy dị chất ZnO/GaN kiểu Armchair bằng phương pháp phiếm hàm mật độ : Báo cáo tổng kết đề tài nghiên cứu khoa học của sinh viên

Nghiên cứu tính chất điện tử dãy dị chất ZnO/GaN kiểu armchair một lớp nguyên tử, tính chất này phụ thuộc vào số dimer line theo chiều rộng của nanoribbon và số mảng cấu thành siêu mạng theo chiều ngang....

Mô tả đầy đủ

Đã lưu trong:
Chi tiết về thư mục
Tác giả chính: Trần, Thị Cẩm Thi
Định dạng: Sách
Ngôn ngữ:Undetermined
Được phát hành: Cần Thơ Trường Đại học Cần Thơ 2017
Những chủ đề:
Các nhãn: Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
Thư viện lưu trữ: Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ
LEADER 01280nam a2200217Ia 4500
001 CTU_230505
008 210402s9999 xx 000 0 und d
082 |a 621.38152 
082 |b Th300 
088 |a TSV2017-33 
100 |a Trần, Thị Cẩm Thi 
245 0 |a Nghiên cứu tính chất điện tử của cấu trúc siêu mạng dựa trên dãy dị chất ZnO/GaN kiểu Armchair bằng phương pháp phiếm hàm mật độ : 
245 0 |b Báo cáo tổng kết đề tài nghiên cứu khoa học của sinh viên 
245 0 |c Trần Thị Cẩm Thi (Chủ nhiệm đề tài) ; Nguyễn Thành Tiên (Cán bộ hướng dẫn) 
260 |a Cần Thơ 
260 |b Trường Đại học Cần Thơ 
260 |c 2017 
520 |a Nghiên cứu tính chất điện tử dãy dị chất ZnO/GaN kiểu armchair một lớp nguyên tử, tính chất này phụ thuộc vào số dimer line theo chiều rộng của nanoribbon và số mảng cấu thành siêu mạng theo chiều ngang. 
650 |a Semiconductors,Vật liệu bán dẫn 
910 |b nthai 
980 |a Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ