Nghiên cứu tính chất điện tử của cấu trúc siêu mạng dựa trên dãy dị chất ZnO/GaN kiểu Armchair bằng phương pháp phiếm hàm mật độ : Báo cáo tổng kết đề tài nghiên cứu khoa học của sinh viên
Nghiên cứu tính chất điện tử dãy dị chất ZnO/GaN kiểu armchair một lớp nguyên tử, tính chất này phụ thuộc vào số dimer line theo chiều rộng của nanoribbon và số mảng cấu thành siêu mạng theo chiều ngang....
Đã lưu trong:
Tác giả chính: | |
---|---|
Định dạng: | Sách |
Ngôn ngữ: | Undetermined |
Được phát hành: |
Cần Thơ
Trường Đại học Cần Thơ
2017
|
Những chủ đề: | |
Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
Thư viện lưu trữ: | Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ |
---|
LEADER | 01280nam a2200217Ia 4500 | ||
---|---|---|---|
001 | CTU_230505 | ||
008 | 210402s9999 xx 000 0 und d | ||
082 | |a 621.38152 | ||
082 | |b Th300 | ||
088 | |a TSV2017-33 | ||
100 | |a Trần, Thị Cẩm Thi | ||
245 | 0 | |a Nghiên cứu tính chất điện tử của cấu trúc siêu mạng dựa trên dãy dị chất ZnO/GaN kiểu Armchair bằng phương pháp phiếm hàm mật độ : | |
245 | 0 | |b Báo cáo tổng kết đề tài nghiên cứu khoa học của sinh viên | |
245 | 0 | |c Trần Thị Cẩm Thi (Chủ nhiệm đề tài) ; Nguyễn Thành Tiên (Cán bộ hướng dẫn) | |
260 | |a Cần Thơ | ||
260 | |b Trường Đại học Cần Thơ | ||
260 | |c 2017 | ||
520 | |a Nghiên cứu tính chất điện tử dãy dị chất ZnO/GaN kiểu armchair một lớp nguyên tử, tính chất này phụ thuộc vào số dimer line theo chiều rộng của nanoribbon và số mảng cấu thành siêu mạng theo chiều ngang. | ||
650 | |a Semiconductors,Vật liệu bán dẫn | ||
910 | |b nthai | ||
980 | |a Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ |