Nghiên cứu tính chất điện tử của cấu trúc siêu mạng dựa trên dãy dị chất ZnO/GaN kiểu Armchair bằng phương pháp phiếm hàm mật độ : Báo cáo tổng kết đề tài nghiên cứu khoa học của sinh viên
Nghiên cứu tính chất điện tử dãy dị chất ZnO/GaN kiểu armchair một lớp nguyên tử, tính chất này phụ thuộc vào số dimer line theo chiều rộng của nanoribbon và số mảng cấu thành siêu mạng theo chiều ngang....
Đã lưu trong:
Tác giả chính: | Trần, Thị Cẩm Thi |
---|---|
Định dạng: | Sách |
Ngôn ngữ: | Undetermined |
Được phát hành: |
Cần Thơ
Trường Đại học Cần Thơ
2017
|
Những chủ đề: | |
Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
Thư viện lưu trữ: | Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ |
---|
Những quyển sách tương tự
-
Nghiên cứu tính chất điện tử của cấu trúc siêu mạng dựa trên dãy dị chất ZnO/GaN kiểu Armchair bằng phương pháp phiếm hàm mật độ :
Bỡi: Huỳnh, Thị Mỹ Duyên
Được phát hành: (2017) -
Nghiên cứu cấu tạo bề mặt ZnO bằng phương pháp phiếm hàm mật độ dựa trên liên kết mạnh :
Bỡi: Bùi, Thị Nguyệt Thu
Được phát hành: (2014) -
Khảo sát cơ chế hấp thụ bề mặt ZnO bằng phương pháp phiếm hàm mật độ dựa trên liên kết mạnh :
Bỡi: Nguyễn, Thị Hồng Loan
Được phát hành: (2015) -
Khảo sát một số hiện tượng quang phi tuyến trong cấu trúc dị chất AlGaN/GaN :
Bỡi: Phạm, Thị Thúy Oanh
Được phát hành: (2014) -
Mô phỏng transistor hiệu ứng trường dây nano ZnO :
Bỡi: Trần, Hồng Nghĩa
Được phát hành: (2013)