Nghiên cứu tính chất điện tử của cấu trúc siêu mạng dựa trên dãy dị chất ZnO/GaN kiểu Armchair bằng phương pháp phiếm hàm mật độ : Báo cáo tổng kết đề tài nghiên cứu khoa học của sinh viên
Nghiên cứu tính chất điện tử dãy dị chất ZnO/GaN kiểu armchair một lớp nguyên tử, tính chất này phụ thuộc vào số dimer line theo chiều rộng của nanoribbon và số mảng cấu thành siêu mạng theo chiều ngang....
محفوظ في:
| المؤلف الرئيسي: | Trần, Thị Cẩm Thi |
|---|---|
| التنسيق: | كتاب |
| اللغة: | Undetermined |
| منشور في: |
Cần Thơ
Trường Đại học Cần Thơ
2017
|
| الموضوعات: | |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
| Thư viện lưu trữ: | Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ |
|---|
مواد مشابهة
-
Nghiên cứu tính chất điện tử của cấu trúc siêu mạng dựa trên dãy dị chất ZnO/GaN kiểu Armchair bằng phương pháp phiếm hàm mật độ :
بواسطة: Huỳnh, Thị Mỹ Duyên
منشور في: (2017) -
Nghiên cứu cấu tạo bề mặt ZnO bằng phương pháp phiếm hàm mật độ dựa trên liên kết mạnh :
بواسطة: Bùi, Thị Nguyệt Thu
منشور في: (2014) -
Khảo sát cơ chế hấp thụ bề mặt ZnO bằng phương pháp phiếm hàm mật độ dựa trên liên kết mạnh :
بواسطة: Nguyễn, Thị Hồng Loan
منشور في: (2015) -
Khảo sát một số hiện tượng quang phi tuyến trong cấu trúc dị chất AlGaN/GaN :
بواسطة: Phạm, Thị Thúy Oanh
منشور في: (2014) -
Mô phỏng transistor hiệu ứng trường dây nano ZnO :
بواسطة: Trần, Hồng Nghĩa
منشور في: (2013)