Nghiên cứu tính chất điện tử của cấu trúc siêu mạng dựa trên dãy dị chất ZnO/GaN kiểu Armchair bằng phương pháp phiếm hàm mật độ : Báo cáo tổng kết đề tài nghiên cứu khoa học của sinh viên
Nghiên cứu tính chất điện tử dãy dị chất ZnO/GaN kiểu armchair một lớp nguyên tử, tính chất này phụ thuộc vào số dimer line theo chiều rộng của nanoribbon và số mảng cấu thành siêu mạng theo chiều ngang....
保存先:
| 第一著者: | Trần, Thị Cẩm Thi |
|---|---|
| フォーマット: | 図書 |
| 言語: | Undetermined |
| 出版事項: |
Cần Thơ
Trường Đại học Cần Thơ
2017
|
| 主題: | |
| タグ: |
タグ追加
タグなし, このレコードへの初めてのタグを付けませんか!
|
| Thư viện lưu trữ: | Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ |
|---|
類似資料
-
Nghiên cứu tính chất điện tử của cấu trúc siêu mạng dựa trên dãy dị chất ZnO/GaN kiểu Armchair bằng phương pháp phiếm hàm mật độ :
著者:: Huỳnh, Thị Mỹ Duyên
出版事項: (2017) -
Nghiên cứu cấu tạo bề mặt ZnO bằng phương pháp phiếm hàm mật độ dựa trên liên kết mạnh :
著者:: Bùi, Thị Nguyệt Thu
出版事項: (2014) -
Khảo sát cơ chế hấp thụ bề mặt ZnO bằng phương pháp phiếm hàm mật độ dựa trên liên kết mạnh :
著者:: Nguyễn, Thị Hồng Loan
出版事項: (2015) -
Khảo sát một số hiện tượng quang phi tuyến trong cấu trúc dị chất AlGaN/GaN :
著者:: Phạm, Thị Thúy Oanh
出版事項: (2014) -
Mô phỏng transistor hiệu ứng trường dây nano ZnO :
著者:: Trần, Hồng Nghĩa
出版事項: (2013)