Analysis and calibration of transient enhanced diffusion for indium impurity in nanoscale semiconductor devices /

সংরক্ষণ করুন:
গ্রন্থ-পঞ্জীর বিবরন
প্রধান লেখক: Lee, Jun-Ha.
অন্যান্য লেখক: Lee, Hoong-Joo.
বিন্যাস: প্রবন্ধ
ভাষা:English
বিষয়গুলি:
ট্যাগগুলো: ট্যাগ যুক্ত করুন
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!
Thư viện lưu trữ: Thư viện Trường Đại học Đà Lạt
LEADER 00895nam a2200289 4500
001 DLU090078984
005 ##20090619
040 # # |a DLU  |b eng 
041 # # |a eng 
044 # # |a KR 
100 # # |a Lee, Jun-Ha.  
245 # # |a Analysis and calibration of transient enhanced diffusion for indium impurity in nanoscale semiconductor devices /  |c Jun-Ha Lee, Hoong-Joo Lee. 
653 # # |a Calibration 
653 # # |a Indium impurity 
653 # # |a Nanoscale 
653 # # |a Transient enhanced diffusion 
700 # # |a Lee, Hoong-Joo.  
773 # # |t Electrophysics and Applications  |g Vol. 5-C, no. 1 (2005), p. 18-22  
920 # # |a Phòng Tạp chí -- Trung tâm Thông tin - Thư viện Trường Đại học Đà Lạt 
994 # # |a DLU 
900 # # |a True 
911 # # |a Trương Bảo Trâm Anh 
925 # # |a G 
926 # # |a A 
927 # # |a BB 
980 # # |a Thư viện Trường Đại học Đà Lạt