Analysis and calibration of transient enhanced diffusion for indium impurity in nanoscale semiconductor devices /
Đã lưu trong:
| Tác giả chính: | Lee, Jun-Ha. |
|---|---|
| Tác giả khác: | Lee, Hoong-Joo. |
| Định dạng: | Bài viết |
| Ngôn ngữ: | English |
| Những chủ đề: | |
| Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
| Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
|---|
Những quyển sách tương tự
-
Impurities in semiconductors :
Bỡi: Fistul, Victor I.
Được phát hành: (2004) -
Hydrogen ion diffusion coefficient of a hydrogenated amorphous silicon thin film /
Bỡi: Yu, George C. -
Transients in electrical systems
Bỡi: Das, J. C. -
The effect of protein impurities on lysozyme crystal growth /
Bỡi: Judge, Russell A. -
Transients in Electrical Systems: Analysis, Recognition, and Mitigation /
Bỡi: Das J.C
Được phát hành: (2010)