Analysis and calibration of transient enhanced diffusion for indium impurity in nanoscale semiconductor devices /
Tallennettuna:
| Päätekijä: | Lee, Jun-Ha. |
|---|---|
| Muut tekijät: | Lee, Hoong-Joo. |
| Aineistotyyppi: | Artikkeli |
| Kieli: | English |
| Aiheet: | |
| Tagit: |
Lisää tagi
Ei tageja, Lisää ensimmäinen tagi!
|
| Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
|---|
Samankaltaisia teoksia
-
Impurities in semiconductors :
Tekijä: Fistul, Victor I.
Julkaistu: (2004) -
Hydrogen ion diffusion coefficient of a hydrogenated amorphous silicon thin film /
Tekijä: Yu, George C. -
Transients in electrical systems
Tekijä: Das, J. C. -
The effect of protein impurities on lysozyme crystal growth /
Tekijä: Judge, Russell A. -
Transients in Electrical Systems: Analysis, Recognition, and Mitigation /
Tekijä: Das J.C
Julkaistu: (2010)