Analysis and calibration of transient enhanced diffusion for indium impurity in nanoscale semiconductor devices /
Zapisane w:
| 1. autor: | Lee, Jun-Ha. |
|---|---|
| Kolejni autorzy: | Lee, Hoong-Joo. |
| Format: | Artykuł |
| Język: | English |
| Hasła przedmiotowe: | |
| Etykiety: |
Dodaj etykietę
Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!
|
| Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
|---|
Podobne zapisy
-
Impurities in semiconductors :
od: Fistul, Victor I.
Wydane: (2004) -
Hydrogen ion diffusion coefficient of a hydrogenated amorphous silicon thin film /
od: Yu, George C. -
Transients in electrical systems
od: Das, J. C. -
The effect of protein impurities on lysozyme crystal growth /
od: Judge, Russell A. -
Transients in Electrical Systems: Analysis, Recognition, and Mitigation /
od: Das J.C
Wydane: (2010)