Analysis and calibration of transient enhanced diffusion for indium impurity in nanoscale semiconductor devices /
Đã lưu trong:
Tác giả chính: | Lee, Jun-Ha. |
---|---|
Tác giả khác: | Lee, Hoong-Joo. |
Định dạng: | Bài viết |
Ngôn ngữ: | English |
Những chủ đề: | |
Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
---|
Những quyển sách tương tự
-
Impurities in semiconductors :
Bỡi: Fistul, Victor I.
Được phát hành: (2004) -
Hydrogen ion diffusion coefficient of a hydrogenated amorphous silicon thin film /
Bỡi: Yu, George C. -
The effect of protein impurities on lysozyme crystal growth /
Bỡi: Judge, Russell A. -
Transients in electrical systems
Bỡi: Das, J. C. - Secondary metabolite scale-up to minimize homolog impurity levels /