Thăng giám mật độ không đồng nhất của các điện tích áp điện hai chiều trong cấu trúc dị tính A1GaN/GaN thực/
Đã lưu trong:
Tác giả chính: | . |
---|---|
Tác giả khác: | Đoàn Nhật Quang., Nguyễn Huyền Tụng., Nguyễn Viết Minh., Phạm Nam Phong., Vũ Ngọc Tước. |
Định dạng: | Bài viết |
Ngôn ngữ: | Vietnamese |
Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
---|
Những quyển sách tương tự
-
Phân bố khí điện tử giả hai chiều trong cấu trúc dị chất đơn GaN/AlGaN :
Bỡi: Đặng, Hồng Cám
Được phát hành: (2012) -
Mô hình Fang-Howard cho khí điện tử giả hai chiều trong giếng lượng tử A/GaN/GaN
Bỡi: Đỗ, Mười, et al.
Được phát hành: (2019) -
Power GaN Devices
Bỡi: Meneghini, Matteo, et al.
Được phát hành: (2020) -
RAMAN SPECTROSCOPY OF GaN/AlxGa1-xN/AlN/Si STRUCTURES
Bỡi: Nguyen, Linh Chi, et al.
Được phát hành: (2023) -
Độ linh động điện tử trong cấu trúc dị chất đơn dựa trên hệ vật liệu GaN/ AlGaN :
Bỡi: Nguyễn, Thanh Tuấn
Được phát hành: (2013)