Thăng giám mật độ không đồng nhất của các điện tích áp điện hai chiều trong cấu trúc dị tính A1GaN/GaN thực/
Đã lưu trong:
Tác giả chính: | . |
---|---|
Tác giả khác: | Đoàn Nhật Quang., Nguyễn Huyền Tụng., Nguyễn Viết Minh., Phạm Nam Phong., Vũ Ngọc Tước. |
Định dạng: | Bài viết |
Ngôn ngữ: | Vietnamese |
Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
---|
Những quyển sách tương tự
-
Phân bố khí điện tử giả hai chiều trong cấu trúc dị chất đơn GaN/AlGaN :
Bỡi: Đặng, Hồng Cám
Được phát hành: (2012) -
Độ linh động điện tử trong cấu trúc dị chất đơn dựa trên hệ vật liệu GaN/ AlGaN :
Bỡi: Nguyễn, Thanh Tuấn
Được phát hành: (2013) -
Electrical characterizations of diodes fabricated on GaN and InGaN films by RF magnetron sputtering
Bỡi: Thi, Tran Anh Tuan
Được phát hành: (2015) -
Khảo sát một số hiện tượng quang phi tuyến trong cấu trúc dị chất AlGaN/GaN :
Bỡi: Phạm, Thị Thúy Oanh
Được phát hành: (2014) -
Khảo sát các cơ chế tán xạ giới hạn độ linh động điện tử hai chiều trong cấu trúc AIGaN/GaN theo nhiệt độ :
Bỡi: Hồ, An Giang
Được phát hành: (2014)