Thăng giám mật độ không đồng nhất của các điện tích áp điện hai chiều trong cấu trúc dị tính A1GaN/GaN thực/
Uloženo v:
| Hlavní autor: | . |
|---|---|
| Další autoři: | Đoàn Nhật Quang., Nguyễn Huyền Tụng., Nguyễn Viết Minh., Phạm Nam Phong., Vũ Ngọc Tước. |
| Médium: | Článek |
| Jazyk: | Vietnamese |
| Tagy: |
Přidat tag
Žádné tagy, Buďte první, kdo otaguje tento záznam!
|
| Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
|---|
Podobné jednotky
-
Phân bố khí điện tử giả hai chiều trong cấu trúc dị chất đơn GaN/AlGaN :
Autor: Đặng, Hồng Cám
Vydáno: (2012) -
Mô hình Fang-Howard cho khí điện tử giả hai chiều trong giếng lượng tử A/GaN/GaN
Autor: Đỗ, Mười, a další
Vydáno: (2024) -
Mô hình Fang-Howard cho khí điện tử giả hai chiều trong giếng lượng tử A/GaN/GaN
Autor: Đỗ, Mười, a další
Vydáno: (2019) -
Power GaN Devices
Autor: Meneghini, Matteo, a další
Vydáno: (2020) -
RAMAN SPECTROSCOPY OF GaN/AlxGa1-xN/AlN/Si STRUCTURES
Autor: Nguyen, Linh Chi, a další
Vydáno: (2023)