Thăng giám mật độ không đồng nhất của các điện tích áp điện hai chiều trong cấu trúc dị tính A1GaN/GaN thực/
Đã lưu trong:
| Hovedforfatter: | . |
|---|---|
| Andre forfattere: | Đoàn Nhật Quang., Nguyễn Huyền Tụng., Nguyễn Viết Minh., Phạm Nam Phong., Vũ Ngọc Tước. |
| Format: | Bài viết |
| Sprog: | Vietnamese |
| Tags: |
Tilføj Tag
Ingen Tags, Vær først til at tagge denne postø!
|
| Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
|---|
Lignende værker
-
Phân bố khí điện tử giả hai chiều trong cấu trúc dị chất đơn GaN/AlGaN :
af: Đặng, Hồng Cám
Udgivet: (2012) -
Mô hình Fang-Howard cho khí điện tử giả hai chiều trong giếng lượng tử A/GaN/GaN
af: Đỗ, Mười, et al.
Udgivet: (2024) -
Mô hình Fang-Howard cho khí điện tử giả hai chiều trong giếng lượng tử A/GaN/GaN
af: Đỗ, Mười, et al.
Udgivet: (2019) -
Power GaN Devices
af: Meneghini, Matteo, et al.
Udgivet: (2020) -
RAMAN SPECTROSCOPY OF GaN/AlxGa1-xN/AlN/Si STRUCTURES
af: Nguyen, Linh Chi, et al.
Udgivet: (2023)