Thăng giám mật độ không đồng nhất của các điện tích áp điện hai chiều trong cấu trúc dị tính A1GaN/GaN thực/
محفوظ في:
| المؤلف الرئيسي: | . |
|---|---|
| مؤلفون آخرون: | Đoàn Nhật Quang., Nguyễn Huyền Tụng., Nguyễn Viết Minh., Phạm Nam Phong., Vũ Ngọc Tước. |
| التنسيق: | مقال |
| اللغة: | Vietnamese |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
| Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
|---|
مواد مشابهة
-
Phân bố khí điện tử giả hai chiều trong cấu trúc dị chất đơn GaN/AlGaN :
بواسطة: Đặng, Hồng Cám
منشور في: (2012) -
Mô hình Fang-Howard cho khí điện tử giả hai chiều trong giếng lượng tử A/GaN/GaN
بواسطة: Đỗ, Mười, وآخرون
منشور في: (2024) -
Mô hình Fang-Howard cho khí điện tử giả hai chiều trong giếng lượng tử A/GaN/GaN
بواسطة: Đỗ, Mười, وآخرون
منشور في: (2019) -
Power GaN Devices
بواسطة: Meneghini, Matteo, وآخرون
منشور في: (2020) -
RAMAN SPECTROSCOPY OF GaN/AlxGa1-xN/AlN/Si STRUCTURES
بواسطة: Nguyen, Linh Chi, وآخرون
منشور في: (2023)