Thăng giám mật độ không đồng nhất của các điện tích áp điện hai chiều trong cấu trúc dị tính A1GaN/GaN thực/
Tallennettuna:
| Päätekijä: | . |
|---|---|
| Muut tekijät: | Đoàn Nhật Quang., Nguyễn Huyền Tụng., Nguyễn Viết Minh., Phạm Nam Phong., Vũ Ngọc Tước. |
| Aineistotyyppi: | Artikkeli |
| Kieli: | Vietnamese |
| Tagit: |
Lisää tagi
Ei tageja, Lisää ensimmäinen tagi!
|
| Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
|---|
Samankaltaisia teoksia
-
Phân bố khí điện tử giả hai chiều trong cấu trúc dị chất đơn GaN/AlGaN :
Tekijä: Đặng, Hồng Cám
Julkaistu: (2012) -
Mô hình Fang-Howard cho khí điện tử giả hai chiều trong giếng lượng tử A/GaN/GaN
Tekijä: Đỗ, Mười, et al.
Julkaistu: (2024) -
Mô hình Fang-Howard cho khí điện tử giả hai chiều trong giếng lượng tử A/GaN/GaN
Tekijä: Đỗ, Mười, et al.
Julkaistu: (2019) -
Power GaN Devices
Tekijä: Meneghini, Matteo, et al.
Julkaistu: (2020) -
RAMAN SPECTROSCOPY OF GaN/AlxGa1-xN/AlN/Si STRUCTURES
Tekijä: Nguyen, Linh Chi, et al.
Julkaistu: (2023)