Thăng giám mật độ không đồng nhất của các điện tích áp điện hai chiều trong cấu trúc dị tính A1GaN/GaN thực/
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | . |
|---|---|
| Weitere Verfasser: | Đoàn Nhật Quang., Nguyễn Huyền Tụng., Nguyễn Viết Minh., Phạm Nam Phong., Vũ Ngọc Tước. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Vietnamese |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
|---|
Ähnliche Einträge
-
Phân bố khí điện tử giả hai chiều trong cấu trúc dị chất đơn GaN/AlGaN :
von: Đặng, Hồng Cám
Veröffentlicht: (2012) -
Mô hình Fang-Howard cho khí điện tử giả hai chiều trong giếng lượng tử A/GaN/GaN
von: Đỗ, Mười, et al.
Veröffentlicht: (2024) -
Mô hình Fang-Howard cho khí điện tử giả hai chiều trong giếng lượng tử A/GaN/GaN
von: Đỗ, Mười, et al.
Veröffentlicht: (2019) -
Power GaN Devices
von: Meneghini, Matteo, et al.
Veröffentlicht: (2020) -
RAMAN SPECTROSCOPY OF GaN/AlxGa1-xN/AlN/Si STRUCTURES
von: Nguyen, Linh Chi, et al.
Veröffentlicht: (2023)