Thăng giám mật độ không đồng nhất của các điện tích áp điện hai chiều trong cấu trúc dị tính A1GaN/GaN thực/
Guardado en:
| Autor principal: | . |
|---|---|
| Otros Autores: | Đoàn Nhật Quang., Nguyễn Huyền Tụng., Nguyễn Viết Minh., Phạm Nam Phong., Vũ Ngọc Tước. |
| Formato: | Artículo |
| Lenguaje: | Vietnamese |
| Etiquetas: |
Agregar Etiqueta
Sin Etiquetas, Sea el primero en etiquetar este registro!
|
| Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
|---|
Ejemplares similares
-
Phân bố khí điện tử giả hai chiều trong cấu trúc dị chất đơn GaN/AlGaN :
por: Đặng, Hồng Cám
Publicado: (2012) -
Mô hình Fang-Howard cho khí điện tử giả hai chiều trong giếng lượng tử A/GaN/GaN
por: Đỗ, Mười, et al.
Publicado: (2024) -
Mô hình Fang-Howard cho khí điện tử giả hai chiều trong giếng lượng tử A/GaN/GaN
por: Đỗ, Mười, et al.
Publicado: (2019) -
Power GaN Devices
por: Meneghini, Matteo, et al.
Publicado: (2020) -
RAMAN SPECTROSCOPY OF GaN/AlxGa1-xN/AlN/Si STRUCTURES
por: Nguyen, Linh Chi, et al.
Publicado: (2023)