Thăng giám mật độ không đồng nhất của các điện tích áp điện hai chiều trong cấu trúc dị tính A1GaN/GaN thực/
保存先:
| 第一著者: | . |
|---|---|
| その他の著者: | Đoàn Nhật Quang., Nguyễn Huyền Tụng., Nguyễn Viết Minh., Phạm Nam Phong., Vũ Ngọc Tước. |
| フォーマット: | 論文 |
| 言語: | Vietnamese |
| タグ: |
タグ追加
タグなし, このレコードへの初めてのタグを付けませんか!
|
| Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
|---|
類似資料
-
Phân bố khí điện tử giả hai chiều trong cấu trúc dị chất đơn GaN/AlGaN :
著者:: Đặng, Hồng Cám
出版事項: (2012) -
Mô hình Fang-Howard cho khí điện tử giả hai chiều trong giếng lượng tử A/GaN/GaN
著者:: Đỗ, Mười, 等
出版事項: (2024) -
Mô hình Fang-Howard cho khí điện tử giả hai chiều trong giếng lượng tử A/GaN/GaN
著者:: Đỗ, Mười, 等
出版事項: (2019) -
Power GaN Devices
著者:: Meneghini, Matteo, 等
出版事項: (2020) -
RAMAN SPECTROSCOPY OF GaN/AlxGa1-xN/AlN/Si STRUCTURES
著者:: Nguyen, Linh Chi, 等
出版事項: (2023)