Thăng giám mật độ không đồng nhất của các điện tích áp điện hai chiều trong cấu trúc dị tính A1GaN/GaN thực/
সংরক্ষণ করুন:
| প্রধান লেখক: | . |
|---|---|
| অন্যান্য লেখক: | Đoàn Nhật Quang., Nguyễn Huyền Tụng., Nguyễn Viết Minh., Phạm Nam Phong., Vũ Ngọc Tước. |
| বিন্যাস: | প্রবন্ধ |
| ভাষা: | Vietnamese |
| ট্যাগগুলো: |
ট্যাগ যুক্ত করুন
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!
|
| Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
|---|
অনুরূপ উপাদানগুলি
-
Phân bố khí điện tử giả hai chiều trong cấu trúc dị chất đơn GaN/AlGaN :
অনুযায়ী: Đặng, Hồng Cám
প্রকাশিত: (2012) -
Mô hình Fang-Howard cho khí điện tử giả hai chiều trong giếng lượng tử A/GaN/GaN
অনুযায়ী: Đỗ, Mười, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2024) -
Mô hình Fang-Howard cho khí điện tử giả hai chiều trong giếng lượng tử A/GaN/GaN
অনুযায়ী: Đỗ, Mười, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2019) -
Power GaN Devices
অনুযায়ী: Meneghini, Matteo, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2020) -
RAMAN SPECTROSCOPY OF GaN/AlxGa1-xN/AlN/Si STRUCTURES
অনুযায়ী: Nguyen, Linh Chi, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2023)