Hiệu ứng giam cầm và tính chất điện tử của dây nano Ge /

Codi QR

Hiệu ứng giam cầm và tính chất điện tử của dây nano Ge /

Guardat en:

Dades bibliogràfiques
Autor principal:	Nguyễn Hồng Quang.
Altres autors:	Vũ Sỹ Tuyên, Yann-Michel Niquet.
Format:	Article
Idioma:	Vietnamese
Etiquetes:	Afegir etiqueta Sense etiquetes, Sigues el primer a etiquetar aquest registre!

Thư viện lưu trữ:	Thư viện Trường Đại học Đà Lạt

Ítems similars

The new GE :
per: Slater, Robert
Publicat: (1993)

Tính chất vận chuyển của khí điện tử hai chiều trong giếng thế SiGe/Si/SiGe dưới ảnh hưởng của nhiệt độ và từ trường
per: Nguyễn, Thị Thúy Quỳnh, et al.
Publicat: (2023)

Hiệu ứng màn chắn trong phản ứng P-N với các bia chì, uranium, vàng ở năng lượng bắn phá của proton từ 0.5 GeV đến 1.5 GeV :
per: Lê, Thị Thanh Trúc
Publicat: (2009)

On Ge Wu : recovering the way of the great learning /
per: Wang, Huaiyu.

Manuel D'hydraulique Ge'ne'rale /
per: Armando lencastre
Publicat: (1973)

Arthime'tique Et Ge'ome'trie /
per: Rene Cluzel
Publicat: (1944)

Phân bố góc của Neutron sinh ra trong phản ứng (P,N) trên các bia với năng lượng bắn phá từ 0.5 GeV đến 1.5 GeV có tính đến hiệu ứng màn chắn :
per: Huỳnh, Thanh Trúc
Publicat: (2011)

G.E. Moore's ethical theory: Resistance and reconciliation
per: Hutchinson, Brian
Publicat: (2013)

THE EFECTS OF SUBSTRATE ORIENTATION ON THE GeMn FILM FORMATION
per: Lê, Thị Giang, et al.
Publicat: (2024)

THE EFECTS OF SUBSTRATE ORIENTATION ON THE GeMn FILM FORMATION
per: Lê, Thị Giang, et al.
Publicat: (2023)

Phổ tán xạ Raman của MnGeAs2 /
per: Nguyễn Văn Minh.

Electronic band structure calculations on the antiferromagnetic ternary compounds Ce3Ni2X7(X= Ge and Sn) and CeNiGe3 /

Ảnh hưởng của hiệu ứng tương tác spin-orbit lên các tính chất điện tử và độ linh động của hạt tải trong đơn lớp Janus SiGeSe2
per: Nguyễn, Phạm Quỳnh Anh
Publicat: (2026)

Rath & Strong's GE Workout for Six Sigma Pocket Guide /
per: Rath & Strong
Publicat: (2004)

Bibliotheque De l'enseignemet Technique .Ge'ome'trie /
per: R. Oriol
Publicat: (1958)

The'orie ge'ne'rale du domaine prive' /
per: Goulet Jean
Publicat: (1986)

SiGe-based Re-engineering of Electronic Warfare Subsystems
per: Lambrechts, Wynand, et al.
Publicat: (2020)

Nghiên cứu tính chất điện của màng Ge pha tạp điện tử từ nguồn rắn GaP và Sb bằng phương pháp Epitaxy chùm phân tử
per: Lương, Thị Kim Phượng
Publicat: (2023)

Cours De Mathe'matiques Spe'ciales. Ge'ometrie Descriptive /
per: G. Cagnac
Publicat: (1951)

Les Mathematiques en terminales C et E .Ge'ometrie /
per: B. Cardouat
Publicat: (1968)

Threshold voltage of Ge channel MOSFETs with high-k gate insulator
per: Chun-Hsing Shih, et al.
Publicat: (2024)

Hiệu ứng từ nhiệt trong các hợp kim Cđ8Cò, Gd5(Mn0,3Ge0,2Si0,5)4 và Gd5(Mn0,4Ge0,1Si0,3)4 /
per: Hoàng Đức Anh.

Lý thuyết của G.E. Mo về giá trị bản chất (Giá trị nội tại) /
per: Phạm Minh Hạc, GS.TSKH.

Probing the mobility of lithium in LISICON : Li+/H+ exchange studies in Li2ZnGeO4 and Li2+2xZn1-xGeO4 /
per: Sebastian, Litty.

Technologie Ge'ne'rale Des Metier De la Me'canique /
per: Robert Pajot
Publicat: (1970)

PRELIMINARY STUDY ON GeTe-SbTe AND Sm-B TOPOLOGICAL INSULATORS
per: Nguyen, Thi Le Thi, et al.
Publicat: (2024)

Ảnh hưởng của việc thay thế một phần Ni bằng Ge lên tính chất từ của hợp kim LaNi5
per: Đàm, Nhân Bá
Publicat: (2023)

Nghiên cứu nâng cao độ bền cơ học của vật liệu GE bằng cách sử dụng chất độn sợi và nghiên cứu công nghệ ép đùn để tạo hình sản phẩm từ vật liệu GE
per: Nguyễn, Văn Đạt
Publicat: (2011)

Nghiên cứu các đặc trưng cơ học và tính chất điện tử của đơn lớp Janus GeSiTe2 bằng lý thuyết phiếm hàm mật độ
per: Võ, Thị Tuyết Vi, et al.
Publicat: (2026)

Cấu trúc tinh thể và tính chất từ của các đơn tinh thể TbNiSn, TbPdSn và TbRhGe
per: Đỗ, Thị Kim Anh, et al.
Publicat: (2015)

Mô phỏng transistor hiệu ứng trường dây nano ZnO :
per: Trần, Hồng Nghĩa
Publicat: (2013)

Cấu trúc và tính chất quang phổ của Cluster CoGe4-/0 Luận văn thạc sĩ Hóa học. Chuyên ngành: Hóa lý thuyết và Hóa lý. Mã số: 8 44 01 19
per: Ngô, Thị Lý
Publicat: (2019)

Sub-10nm tunnel field-effect transistor with graded Si/Ge heterojunction
per: Chun-Hsing Shih, et al.
Publicat: (2024)

Chẩn đoán lỗi máy biến áp sử dụng GeNIe Modeler
per: Nguyễn, Thanh Sơn
Publicat: (2023)

ẢNH HƯỞNG CỦA NGUYÊN TỐ Sb ĐẾN TÍNH CHẤT QUANG CỦA MÀNG Ge/Si ĐỒNG PHA TẠP Sb VÀ P
per: Lương, Thị Kim Phượng
Publicat: (2023)

Nghiên cứu phản ứng hạt nhân (p,n) trên các bia chì (Pb), Wolfram (W) và Uranium (U) với năng lượng bắn phá tương đối thấp ( từ 0.01GeV đến 0.05GeV) :
per: Trần, Thị Diễm
Publicat: (2011)

Heavy cyclopropenes of Si, Ge, SnA new challenge in the chemistry of group 14 elements /
per: Sekiguchi, Akira.

Thị trường năng lượng Việt Nam GE"mở rộng" thêm thị phần
per: Hải, Vân
Publicat: (2024)

Research on the Radiation Effects and Compact Model of SiGe HBT. 1st ed. 2018
per: Sun, Yabin
Publicat: (2020)

Tính chất điện tử của dãy nano penta-graphene biên răng cưa sai hỏng dạng khuyết
per: Nguyễn, Thành Tiên, et al.
Publicat: (2023)