Threshold voltage of Ge channel MOSFETs with high-k gate insulator
As the MOSFET devices scale into nanoscale regime, it is increasingly difficult to enhance the performance of silicon CMOS devices through traditional scaling approaches. Ge channel MOSFETs with high -k gate insulator become one of most attracting candidates for the use in fut...
Đã lưu trong:
| Những tác giả chính: | , , , |
|---|---|
| Định dạng: | Conference paper |
| Ngôn ngữ: | English |
| Được phát hành: |
Sweden
2024
|
| Truy cập trực tuyến: | https://scholar.dlu.edu.vn/handle/123456789/3303 |
| Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
| Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
|---|