The dependence of an acoustomagnetoelectric field on the temperature in a cylindrical quantum wire AlGaAs/GaAs
Zapisane w:
| Język: | vie |
|---|---|
| Dostęp online: | https://dlib.udn.vn/module/chi-tiet-sach?RecordID=8448 |
| Etykiety: |
Dodaj etykietę
Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!
|
| Thư viện lưu trữ: | Trung tâm Công nghệ thông tin và Học liệu số, Đại học Đà Nẵng |
|---|
Podobne zapisy
-
Khả năng điếu khiển phổ hấp thụ giữa các mức Landau của giếng lượng tử GaAs/AlGaAs
od: Doan, The Ngo Vinh, i wsp.
Wydane: (2023) -
Effects of Temperature and Stress on the InGaP/GaAs Heterojunction Phototransistor
od: Than, Hong Phuc, i wsp.
Wydane: (2021) -
CALCULATION OF INTERFACE ROUGHNESS SCATTERING- LIMITED ELECTRON MOBILITIES AT LOW TEMPERATURES IN GaAs AND InAs QUANTUM WELLS
od: Tran, Thi Hai, i wsp.
Wydane: (2025) -
Quaternary Capped In(Ga)As/GaAs Quantum Dot Infrared Photodetectors. 1st ed. 2018
od: Adhikary, Sourav, i wsp.
Wydane: (2020) - Photoreflectance measurement in Si3N4/Al0.21Ga0.79As/GaAs heterostructure /