The dependence of an acoustomagnetoelectric field on the temperature in a cylindrical quantum wire AlGaAs/GaAs
Uloženo v:
| Jazyk: | vie |
|---|---|
| On-line přístup: | https://dlib.udn.vn/module/chi-tiet-sach?RecordID=8448 |
| Tagy: |
Přidat tag
Žádné tagy, Buďte první, kdo otaguje tento záznam!
|
| Thư viện lưu trữ: | Trung tâm Công nghệ thông tin và Học liệu số, Đại học Đà Nẵng |
|---|
Podobné jednotky
-
Khả năng điếu khiển phổ hấp thụ giữa các mức Landau của giếng lượng tử GaAs/AlGaAs
Autor: Doan, The Ngo Vinh, a další
Vydáno: (2023) -
Effects of Temperature and Stress on the InGaP/GaAs Heterojunction Phototransistor
Autor: Than, Hong Phuc, a další
Vydáno: (2021) -
CALCULATION OF INTERFACE ROUGHNESS SCATTERING- LIMITED ELECTRON MOBILITIES AT LOW TEMPERATURES IN GaAs AND InAs QUANTUM WELLS
Autor: Tran, Thi Hai, a další
Vydáno: (2025) -
Quaternary Capped In(Ga)As/GaAs Quantum Dot Infrared Photodetectors. 1st ed. 2018
Autor: Adhikary, Sourav, a další
Vydáno: (2020) - Photoreflectance measurement in Si3N4/Al0.21Ga0.79As/GaAs heterostructure /