The dependence of an acoustomagnetoelectric field on the temperature in a cylindrical quantum wire AlGaAs/GaAs
Đã lưu trong:
| Ngôn ngữ: | vie |
|---|---|
| Truy cập trực tuyến: | https://dlib.udn.vn/module/chi-tiet-sach?RecordID=8448 |
| Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
| Thư viện lưu trữ: | Trung tâm Công nghệ thông tin và Học liệu số, Đại học Đà Nẵng |
|---|
Những quyển sách tương tự
-
Khả năng điếu khiển phổ hấp thụ giữa các mức Landau của giếng lượng tử GaAs/AlGaAs
Bỡi: Doan, The Ngo Vinh, et al.
Được phát hành: (2023) -
Effects of Temperature and Stress on the InGaP/GaAs Heterojunction Phototransistor
Bỡi: Than, Hong Phuc, et al.
Được phát hành: (2021) -
CALCULATION OF INTERFACE ROUGHNESS SCATTERING- LIMITED ELECTRON MOBILITIES AT LOW TEMPERATURES IN GaAs AND InAs QUANTUM WELLS
Bỡi: Tran, Thi Hai, et al.
Được phát hành: (2025) -
Quaternary Capped In(Ga)As/GaAs Quantum Dot Infrared Photodetectors. 1st ed. 2018
Bỡi: Adhikary, Sourav, et al.
Được phát hành: (2020) - Photoreflectance measurement in Si3N4/Al0.21Ga0.79As/GaAs heterostructure /