Band-bending Effects from Double-side Selective Doping on the Electronic Properties of Square Quantum Wells (QWs)
Đã lưu trong:
Tác giả chính: | Trần Thị, Hải,... |
---|---|
Định dạng: | Bài viết |
Ngôn ngữ: | Vietnamese |
Được phát hành: |
2018
|
Những chủ đề: | |
Truy cập trực tuyến: | http://thuvien.ued.udn.vn/handle/TVDHSPDN_123456789/45373 |
Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
Thư viện lưu trữ: | Trung tâm Học liệu và E-Learning, Trường Đại học Sư phạm – Đại học Đà Nẵng |
---|
Những quyển sách tương tự
-
Band-bending Effects from Double-side Selective Doping on the Electronic Properties of Square Quantum Wells (QWs)
Bỡi: Trần Thị, Hải,...
Được phát hành: (2015) -
Quantum double construction for subfactors arising from periodic commuting squares /
Bỡi: Goto, Satoshi. -
Quantum Confinement in Gaussian Heavily-doped ZnO Surface Quantum Wells
Bỡi: Nguyễn Thành, Tiến
Được phát hành: (2015) -
Quantum Confinement in Gaussian Heavily-doped ZnO Surface Quantum Wells
Bỡi: Nguyễn Thành, Tiến
Được phát hành: (2018) -
Influence of phonon confinement on cyclotron-phonon resonance in infinite square quantum well
Bỡi: Võ, Thành Lâm, et al.
Được phát hành: (2023)