Physical properties and analytical models of band-to-band tunneling in low-bandgap semiconductors
Low-bandgap semiconductors, such as InAs and InSb, are widely considered to be ideal for use in tunnel field-effect transistors to ensure sufficient on-current boosting at low voltages. This work elucidates the physical and mathematical considerations of applying conventional band-to-band tunneling...
Đã lưu trong:
| Những tác giả chính: | , |
|---|---|
| Định dạng: | Journal article |
| Ngôn ngữ: | English |
| Được phát hành: |
AIP Publishing
2024
|
| Truy cập trực tuyến: | https://scholar.dlu.edu.vn/handle/123456789/3292 |
| Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
| Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
|---|