Giới hạn của bề dày thân và chiều dài chồng phủ cổng-nguồn trong transistor trường xuyên hầm đường

Cấu trúc xuyên hầm đường (line-tunneling) đã được áp dụng hiệu quả để tăng dòng điện dẫn cho các transistor hiệu ứng trường xuyên hầm [tunnel field-effect transistor (TFET)]. Dựa trên mô phỏng hai chiều, nghiên cứu này chỉ ra rằng có những giới hạn của các tham số kích thước linh kiện cơ bản, gồm bề...

Mô tả đầy đủ

Đã lưu trong:

Chi tiết về thư mục
Những tác giả chính:	Nguyễn, Đăng Chiến, Nguyễn Thị Hồng Hạnh, Dương Thị Thanh Hiên, Chun-Hsing Shih
Định dạng:	Conference paper
Ngôn ngữ:	Vietnamese
Được phát hành:	Nhà xuất bản Bách Khoa Hà Nội 2024
Những chủ đề:	transistor xuyên hầm transistor thân mỏng xuyên hầm qua vùng cấm xuyên hầm đường chồng phủ cổng-nguồn
Truy cập trực tuyến:	https://scholar.dlu.edu.vn/handle/123456789/3317
Các nhãn:	Thêm thẻ Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!

Thư viện lưu trữ:	Thư viện Trường Đại học Đà Lạt

id	oai:scholar.dlu.edu.vn:123456789-3317
record_format	dspace
spelling	oai:scholar.dlu.edu.vn:123456789-33172024-03-02T12:46:52Z Giới hạn của bề dày thân và chiều dài chồng phủ cổng-nguồn trong transistor trường xuyên hầm đường Nguyễn, Đăng Chiến Nguyễn Thị Hồng Hạnh Dương Thị Thanh Hiên Chun-Hsing Shih transistor xuyên hầm transistor thân mỏng xuyên hầm qua vùng cấm xuyên hầm đường chồng phủ cổng-nguồn Cấu trúc xuyên hầm đường (line-tunneling) đã được áp dụng hiệu quả để tăng dòng điện dẫn cho các transistor hiệu ứng trường xuyên hầm [tunnel field-effect transistor (TFET)]. Dựa trên mô phỏng hai chiều, nghiên cứu này chỉ ra rằng có những giới hạn của các tham số kích thước linh kiện cơ bản, gồm bề dày thân và chiều dài chồng phủ cổng-nguồn, trong các TFET xuyên hầm đường. Với thân linh kiện, giảm bề dày của nó nhỏ hơn giá trị giới hạn sẽ làm cho dòng điện dẫn giảm rất mạnh vì vùng xuyên hầm bị làm hẹp và do đó hạn chế quá trình xuyên hầm đường. Đối với cực nguồn, nếu tăng chiều dài chồng phủ cổng-nguồn lớn hơn giá trị giới hạn thì dòng điện dẫn hầu như không tăng đáng kể vì sự ảnh hưởng lớn của điện trở cực nguồn làm giảm thế ở vùng xảy ra quá trình xuyên hầm đường. Cụ thể với TFET xuyên hầm đường sử dụng Ge và nồng độ cực nguồn 5×1019 cm-3, giới hạn của bề dày thân linh kiện là cỡ 10 nm và của chiều dài chồng phủ cổng-nguồn là khoảng 100 nm. Hiểu rõ sự tồn tại của những giới hạn nêu trên có ý nghĩa quan trọng trong việc thiết kế tối ưu các TFET xuyên hầm đường. 725-729 2024-03-02T12:46:43Z 2024-03-02T12:46:43Z 2019 Conference paper Bài báo đăng trên KYHT trong nước (có ISBN) 9786049875069 https://scholar.dlu.edu.vn/handle/123456789/3317 vi Study of band-to-band tunneling models and structure design of tunnel field-effect transistors Hội nghị Vật lý chất rắn và khoa học vật liệu toàn quốc lần thứ 11 (SPMS) 103.02-2018.309 1. W. Y. Choi, B.-G. Park, J. D. Lee, T.-J. K. Liu, IEEE Electron Device Lett., vol. 28, p. 743 (2007). 2. H. Lu, A. Seabaugh, IEEE J. Electron Devices Soc., vol. 2, p. 44 (2014). 3. O. M. Nayfeh, J. L. Hoyt, D. A. Antoniadis, IEEE Trans. Electron Devices, vol. 56, p. 2264 (2009). 4. E.-H. Toh, G.H. Wang, G. Samudra, Y.-C. Yeo, J. Appl. Phys., vol. 103, p. 104504 (2008). 5. K. Boucart and A. M. Ionescu, IEEE Trans. Electron Devices, vol. 54, p. 1725 (2007). 6. N. D. Chien, C.-H. Shih, L. T. Vinh, J. Appl. Phys., vol. 114, p. 094507 (2013) [Erratum, vol. 114, p. 189901 (2013)]. 7. W. Y. Choi, H. K. Lee, Nano Converg., vol. 3, p. 13 (2016). 8. A. Afzalian, G. Doornbos, T.-M Shen, M. Passlack, J. Wu, IEEE J. Electron Devices Soc., vol. 7, p. 88 (2019). 9. W. Wang, P-F Wang, C.-M. Zhang, X. Lin, X.-Y. Liu, Q.-Q. Sun, P. Zhou, D. W. Zhang, IEEE Trans. Electron Devices, vol. 61, p. 193 (2014). 10. K. L. Low, C. Zhan, G. Han, Y. Yang, K.-H. Goh, P. Guo, E.-H. Toh, Y.-C. Yeo, Jpn. J. Appl. Phys., vol. 51, p. 02BC04 (2012). 11. P. K. Dubey, B. K. Kaushik, IEEE Trans. Electron Devices, vol. 64, p. 3120 (2017). 12. C.-H. Shih, N. D. Chien, IEEE Trans. Electron Devices, vol. 61, p. 1907 (2014). 13. M. G. Bardon, H. P. Neves, R. Puers, C. V. Hoof, IEEE Trans. Electron Devices, vol. 57, p. 827 (2010). 14. Synopsys MEDICI User’s Manual, Synopsys Inc., Mountain View, CA, 2013. 15. E. O. Kane, J. Appl. Phys., vol. 31, p. 83 (1961). 16. K.-H. Kao, A. S. Verhulst, W. G. Vandenberghe, B. Sorée, G. Groeseneken, K. D. Meyer, IEEE Trans. Electron Devices, vol. 59, p. 292 (2012). Nhà xuất bản Bách Khoa Hà Nội Việt Nam
institution	Thư viện Trường Đại học Đà Lạt
collection	Thư viện số
language	Vietnamese
topic	transistor xuyên hầm transistor thân mỏng xuyên hầm qua vùng cấm xuyên hầm đường chồng phủ cổng-nguồn
spellingShingle	transistor xuyên hầm transistor thân mỏng xuyên hầm qua vùng cấm xuyên hầm đường chồng phủ cổng-nguồn Nguyễn, Đăng Chiến Nguyễn Thị Hồng Hạnh Dương Thị Thanh Hiên Chun-Hsing Shih Giới hạn của bề dày thân và chiều dài chồng phủ cổng-nguồn trong transistor trường xuyên hầm đường
description	Cấu trúc xuyên hầm đường (line-tunneling) đã được áp dụng hiệu quả để tăng dòng điện dẫn cho các transistor hiệu ứng trường xuyên hầm [tunnel field-effect transistor (TFET)]. Dựa trên mô phỏng hai chiều, nghiên cứu này chỉ ra rằng có những giới hạn của các tham số kích thước linh kiện cơ bản, gồm bề dày thân và chiều dài chồng phủ cổng-nguồn, trong các TFET xuyên hầm đường. Với thân linh kiện, giảm bề dày của nó nhỏ hơn giá trị giới hạn sẽ làm cho dòng điện dẫn giảm rất mạnh vì vùng xuyên hầm bị làm hẹp và do đó hạn chế quá trình xuyên hầm đường. Đối với cực nguồn, nếu tăng chiều dài chồng phủ cổng-nguồn lớn hơn giá trị giới hạn thì dòng điện dẫn hầu như không tăng đáng kể vì sự ảnh hưởng lớn của điện trở cực nguồn làm giảm thế ở vùng xảy ra quá trình xuyên hầm đường. Cụ thể với TFET xuyên hầm đường sử dụng Ge và nồng độ cực nguồn 5×1019 cm-3, giới hạn của bề dày thân linh kiện là cỡ 10 nm và của chiều dài chồng phủ cổng-nguồn là khoảng 100 nm. Hiểu rõ sự tồn tại của những giới hạn nêu trên có ý nghĩa quan trọng trong việc thiết kế tối ưu các TFET xuyên hầm đường.
format	Conference paper
author	Nguyễn, Đăng Chiến Nguyễn Thị Hồng Hạnh Dương Thị Thanh Hiên Chun-Hsing Shih
author_facet	Nguyễn, Đăng Chiến Nguyễn Thị Hồng Hạnh Dương Thị Thanh Hiên Chun-Hsing Shih
author_sort	Nguyễn, Đăng Chiến
title	Giới hạn của bề dày thân và chiều dài chồng phủ cổng-nguồn trong transistor trường xuyên hầm đường
title_short	Giới hạn của bề dày thân và chiều dài chồng phủ cổng-nguồn trong transistor trường xuyên hầm đường
title_full	Giới hạn của bề dày thân và chiều dài chồng phủ cổng-nguồn trong transistor trường xuyên hầm đường
title_fullStr	Giới hạn của bề dày thân và chiều dài chồng phủ cổng-nguồn trong transistor trường xuyên hầm đường
title_full_unstemmed	Giới hạn của bề dày thân và chiều dài chồng phủ cổng-nguồn trong transistor trường xuyên hầm đường
title_sort	giới hạn của bề dày thân và chiều dài chồng phủ cổng-nguồn trong transistor trường xuyên hầm đường
publisher	Nhà xuất bản Bách Khoa Hà Nội
publishDate	2024
url	https://scholar.dlu.edu.vn/handle/123456789/3317
_version_	1798256990463459328

Giới hạn của bề dày thân và chiều dài chồng phủ cổng-nguồn trong transistor trường xuyên hầm đường

Những quyển sách tương tự