Giới hạn của bề dày thân và chiều dài chồng phủ cổng-nguồn trong transistor trường xuyên hầm đường
Cấu trúc xuyên hầm đường (line-tunneling) đã được áp dụng hiệu quả để tăng dòng điện dẫn cho các transistor hiệu ứng trường xuyên hầm [tunnel field-effect transistor (TFET)]. Dựa trên mô phỏng hai chiều, nghiên cứu này chỉ ra rằng có những giới hạn của các tham số kích thước linh kiện cơ bản, gồm bề...
Đã lưu trong:
| Những tác giả chính: | , , , |
|---|---|
| Định dạng: | Conference paper |
| Ngôn ngữ: | Vietnamese |
| Được phát hành: |
Nhà xuất bản Bách Khoa Hà Nội
2024
|
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | https://scholar.dlu.edu.vn/handle/123456789/3317 |
| Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
| Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
|---|
| Tóm tắt: | Cấu trúc xuyên hầm đường (line-tunneling) đã được áp dụng hiệu quả để tăng dòng điện dẫn cho các transistor hiệu ứng trường xuyên hầm [tunnel field-effect transistor (TFET)]. Dựa trên mô phỏng hai chiều, nghiên cứu này chỉ ra rằng có những giới hạn của các tham số kích thước linh kiện cơ bản, gồm bề dày thân và chiều dài chồng phủ cổng-nguồn, trong các TFET xuyên hầm đường. Với thân linh kiện, giảm bề dày của nó nhỏ hơn giá trị giới hạn sẽ làm cho dòng điện dẫn giảm rất mạnh vì vùng xuyên hầm bị làm hẹp và do đó hạn chế quá trình xuyên hầm đường. Đối với cực nguồn, nếu tăng chiều dài chồng phủ cổng-nguồn lớn hơn giá trị giới hạn thì dòng điện dẫn hầu như không tăng đáng kể vì sự ảnh hưởng lớn của điện trở cực nguồn làm giảm thế ở vùng xảy ra quá trình xuyên hầm đường. Cụ thể với TFET xuyên hầm đường sử dụng Ge và nồng độ cực nguồn 5×1019 cm-3, giới hạn của bề dày thân linh kiện là cỡ 10 nm và của chiều dài chồng phủ cổng-nguồn là khoảng 100 nm. Hiểu rõ sự tồn tại của những giới hạn nêu trên có ý nghĩa quan trọng trong việc thiết kế tối ưu các TFET xuyên hầm đường. |
|---|