Nghiên cứu mô hình xuyên hầm qua vùng cấm và thiết kế cấu trúc các transistor hiệu ứng trường xuyên hầm

Một trong những linh kiện điện tử hiện được xem là tiềm năng cho các vi mạch công suất thấp là transistor hiệu ứng trường xuyên hầm [tunnel field-effect transistor (TFET)] vì độ dốc dưới ngưỡng của nó ở nhiệt độ phòng có thể nhỏ hơn 60 mV/decade. Để tính dòng xuyên hầm trong TFET, chúng tôi đã đề xu...

Mô tả đầy đủ

Đã lưu trong:

Chi tiết về thư mục
Tác giả chính:	Nguyễn, Đăng Chiến
Định dạng:	Research report
Ngôn ngữ:	Vietnamese
Được phát hành:	Trường Đại học Đà Lạt 2024
Truy cập trực tuyến:	https://scholar.dlu.edu.vn/handle/123456789/3452
Các nhãn:	Thêm thẻ Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!

Thư viện lưu trữ:	Thư viện Trường Đại học Đà Lạt

id	oai:scholar.dlu.edu.vn:123456789-3452
record_format	dspace
spelling	oai:scholar.dlu.edu.vn:123456789-34522024-04-24T03:46:58Z Nghiên cứu mô hình xuyên hầm qua vùng cấm và thiết kế cấu trúc các transistor hiệu ứng trường xuyên hầm Nguyễn, Đăng Chiến Một trong những linh kiện điện tử hiện được xem là tiềm năng cho các vi mạch công suất thấp là transistor hiệu ứng trường xuyên hầm [tunnel field-effect transistor (TFET)] vì độ dốc dưới ngưỡng của nó ở nhiệt độ phòng có thể nhỏ hơn 60 mV/decade. Để tính dòng xuyên hầm trong TFET, chúng tôi đã đề xuất mẫu xuyên hầm qua vùng cấm hỗn hợp mà trong đề tài này tính đúng đắn của nó sẽ được chứng minh một cách chắc chắn bởi nguyên lý đối xứng. Ở một vấn đề khác, bề dày thân linh kiện TFET xuyên hầm điểm lưỡng cổng sẽ được tối ưu hóa bằng việc xem xét ảnh hưởng của hằng số điện môi cực cổng và thân linh kiện tới khả năng điều khiển của cực cổng mà trước đây chúng chưa được tính đến. Tiếp theo, chúng tôi cũng khảo sát kỹ lưỡng thiết kế của lớp điện môi cực cổng dị chất cho TFET trong mối liên hệ với các yếu tố khác như tỷ số bề dày ôxít, chiều dài kênh và loại cấu trúc linh kiện. Cuối cùng, một thiết kế tiên tiến cho cấu trúc xuyên hầm đường sẽ được thực hiện bằng cách áp dụng hốc pha tạp ở cực nguồn và tối ưu hóa chiều dài chồng phủ cổng-nguồn nhằm cải thiện hơn nữa đặc tính điện của TFET xuyên hầm đường. Những nghiên cứu này là rất quan trọng và hữu ích để tính toán và cải thiện dòng xuyên hầm của TFET. 2024-04-24T03:46:51Z 2024-04-24T03:46:51Z 2021 2019 2021 Research report Đề tài Nafosted Khoa học kỹ thuật và công nghệ https://scholar.dlu.edu.vn/handle/123456789/3452 103.02-2018.309 vi 86/QĐ-HDQL-NAFOSTED ngày 10/12/2021 550 Trường Đại học Đà Lạt
institution	Thư viện Trường Đại học Đà Lạt
collection	Thư viện số
language	Vietnamese
description	Một trong những linh kiện điện tử hiện được xem là tiềm năng cho các vi mạch công suất thấp là transistor hiệu ứng trường xuyên hầm [tunnel field-effect transistor (TFET)] vì độ dốc dưới ngưỡng của nó ở nhiệt độ phòng có thể nhỏ hơn 60 mV/decade. Để tính dòng xuyên hầm trong TFET, chúng tôi đã đề xuất mẫu xuyên hầm qua vùng cấm hỗn hợp mà trong đề tài này tính đúng đắn của nó sẽ được chứng minh một cách chắc chắn bởi nguyên lý đối xứng. Ở một vấn đề khác, bề dày thân linh kiện TFET xuyên hầm điểm lưỡng cổng sẽ được tối ưu hóa bằng việc xem xét ảnh hưởng của hằng số điện môi cực cổng và thân linh kiện tới khả năng điều khiển của cực cổng mà trước đây chúng chưa được tính đến. Tiếp theo, chúng tôi cũng khảo sát kỹ lưỡng thiết kế của lớp điện môi cực cổng dị chất cho TFET trong mối liên hệ với các yếu tố khác như tỷ số bề dày ôxít, chiều dài kênh và loại cấu trúc linh kiện. Cuối cùng, một thiết kế tiên tiến cho cấu trúc xuyên hầm đường sẽ được thực hiện bằng cách áp dụng hốc pha tạp ở cực nguồn và tối ưu hóa chiều dài chồng phủ cổng-nguồn nhằm cải thiện hơn nữa đặc tính điện của TFET xuyên hầm đường. Những nghiên cứu này là rất quan trọng và hữu ích để tính toán và cải thiện dòng xuyên hầm của TFET.
format	Research report
author	Nguyễn, Đăng Chiến
spellingShingle	Nguyễn, Đăng Chiến Nghiên cứu mô hình xuyên hầm qua vùng cấm và thiết kế cấu trúc các transistor hiệu ứng trường xuyên hầm
author_facet	Nguyễn, Đăng Chiến
author_sort	Nguyễn, Đăng Chiến
title	Nghiên cứu mô hình xuyên hầm qua vùng cấm và thiết kế cấu trúc các transistor hiệu ứng trường xuyên hầm
title_short	Nghiên cứu mô hình xuyên hầm qua vùng cấm và thiết kế cấu trúc các transistor hiệu ứng trường xuyên hầm
title_full	Nghiên cứu mô hình xuyên hầm qua vùng cấm và thiết kế cấu trúc các transistor hiệu ứng trường xuyên hầm
title_fullStr	Nghiên cứu mô hình xuyên hầm qua vùng cấm và thiết kế cấu trúc các transistor hiệu ứng trường xuyên hầm
title_full_unstemmed	Nghiên cứu mô hình xuyên hầm qua vùng cấm và thiết kế cấu trúc các transistor hiệu ứng trường xuyên hầm
title_sort	nghiên cứu mô hình xuyên hầm qua vùng cấm và thiết kế cấu trúc các transistor hiệu ứng trường xuyên hầm
publisher	Trường Đại học Đà Lạt
publishDate	2024
url	https://scholar.dlu.edu.vn/handle/123456789/3452
_version_	1798257043692322816

Nghiên cứu mô hình xuyên hầm qua vùng cấm và thiết kế cấu trúc các transistor hiệu ứng trường xuyên hầm

Những quyển sách tương tự